| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 ZnO薄膜生长性质及研究进展 | 第11-20页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第11-17页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO的光学特性 | 第14-16页 |
| ·ZnO的电学特性 | 第16-17页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·分子束外延 | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第18页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射 | 第19-20页 |
| 2 GaN薄膜生长性质及研究进展 | 第20-25页 |
| ·GaN薄膜基本性质 | 第20-23页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第20-21页 |
| ·GaN的化学性质 | 第21页 |
| ·GaN的光学性质 | 第21-23页 |
| ·GaN的电学性质 | 第23页 |
| ·GaN外延生长技术 | 第23-25页 |
| ·卤化物汽相外延(HPVE)技术 | 第23-24页 |
| ·分子束外延(MBE)技术 | 第24页 |
| ·金属有机化学汽相沉积 | 第24-25页 |
| 3 n-ZnO/p-GaN异质结发光二级管的制备与研究 | 第25-42页 |
| ·p-GaN外延片的生长与研究 | 第25-31页 |
| ·p-GaN薄膜掺杂研究进展 | 第25页 |
| ·p-GaN生长MOCVD系统的介绍 | 第25-29页 |
| ·p-GaN薄膜的MOCVD生长 | 第29页 |
| ·p-GaN薄膜表征与分析 | 第29-31页 |
| ·n-ZnO/p-GaN异质结的生长及发光二极管的制备 | 第31-40页 |
| ·ZnO薄膜掺杂研究进展 | 第31-34页 |
| ·等离子增强MOCVD-Ⅱ型设备介绍 | 第34-37页 |
| ·基于p型GaN衬底的n型ZnO薄膜的MOCVD生长 | 第37-38页 |
| ·n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管的制备 | 第38-40页 |
| ·结论 | 第40-42页 |
| 4 基于AlGaN电子阻挡层的ZnO异质结激子发光二极管的研制 | 第42-49页 |
| ·n-ZnO/AlGaN/p-GaN异质结结构的生长 | 第42-43页 |
| ·AlGaN/p-GaN异质结的MOCVD制备 | 第42-43页 |
| ·n-ZnO/AlGaN/p-GaN异质结及其发光二极管的制备 | 第43页 |
| ·n-ZnO/AlGaN/p-GaN异质结激子发光二极管特性研究 | 第43-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
