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基于纳米压印刻蚀Si-PIN探测器的仿真研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第11-26页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 微结构材料的制备方法及其发展简况第12-20页
        1.2.1 黑硅材料制备及其发展第13-17页
        1.2.2 多孔硅制备及其发展第17-18页
        1.2.3 硅纳米孔柱阵列制备及其发展第18-20页
    1.3 硅基PIN光电探测器简介第20-24页
        1.3.1 光学吸收第20-21页
        1.3.2 PN结第21-22页
        1.3.3 本征层的影响第22-23页
        1.3.4 伏安特性第23-24页
    1.4 研究内容和技术路线第24-26页
        1.4.1 研究内容第24页
        1.4.2 技术路线第24-26页
第二章 纳米压印刻蚀简介第26-34页
    2.1 引言第26-27页
    2.2 基本原理第27-28页
    2.3 纳米压印刻蚀的分类第28-31页
        2.3.1 热压印刻蚀第28-29页
        2.3.2 紫外固化压印刻蚀第29-30页
        2.3.3 微接触压印刻蚀第30页
        2.3.4 三种压印刻蚀方式的比较第30-31页
    2.4 纳米压印刻蚀的技术特点第31-32页
        2.4.1 压印模板第31页
        2.4.2 压印光刻胶第31-32页
    2.5 现状与挑战第32-33页
        2.5.1 纳米压印刻蚀的发展趋势第32-33页
        2.5.2 面临的问题第33页
    2.6 本章小结第33-34页
第三章 Si-PIN探测器主要性能参数及仿真研究第34-54页
    3.1 主要性能参数第34-37页
        3.1.1 量子效率 η第34页
        3.1.2 响应度R第34-35页
        3.1.3 光谱响应范围第35页
        3.1.4 响应时间第35-36页
        3.1.5 暗电流Id、噪声与伏安特性第36-37页
    3.2 器件结构设计及优化第37-39页
        3.2.1 结构选择第37页
        3.2.2 材料参数选择第37-39页
        3.2.3 增透膜设计第39页
    3.3 仿真参数验算第39-41页
        3.3.1 响应度和量子效率验算第39-40页
        3.3.2 响应时间验算第40-41页
    3.4 模型建立及Silvaco仿真分析第41-43页
        3.4.1 Silvaco TCAD软件介绍第41-42页
        3.4.2 物理参数模型设定与结构选择第42-43页
    3.5 正照式结构及光电特性仿真第43-49页
        3.5.1 本征层厚度的影响第43-45页
        3.5.2 基本结构第45-47页
        3.5.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度第47-48页
        3.5.4 暗电流和响应时间第48-49页
    3.6 背照式结构及光电特性仿真第49-53页
        3.6.1 本征层厚度的影响第49-50页
        3.6.2 基本结构第50-51页
        3.6.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度第51-52页
        3.6.4 暗电流和响应时间第52-53页
    3.7 本章小结第53-54页
第四章 基于纳米压印刻蚀Si-PIN光电探测器的仿真及验证研究第54-72页
    4.1 基于硅纳米孔柱阵列的器件仿真研究第54-60页
        4.1.1 基本结构第54-55页
        4.1.2 阵列光学性能研究第55-57页
        4.1.3 阵列光电特性研究第57-60页
    4.2 基于能带改性硅纳米孔柱阵列的器件仿真研究第60-68页
        4.2.1 基本结构第60-63页
        4.2.2 阵列光学性能研究第63-64页
        4.2.3 阵列光电特性研究第64-68页
    4.3 基于纳米压印刻蚀 Si-PIN 单元器件的试制与功能验证第68-71页
    4.4 本章小结第71-72页
第五章 总结与展望第72-74页
    5.1 总结第72-73页
    5.2 展望第73-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-79页
硕士在学期间的研究成果第79-80页

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