摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 微结构材料的制备方法及其发展简况 | 第12-20页 |
1.2.1 黑硅材料制备及其发展 | 第13-17页 |
1.2.2 多孔硅制备及其发展 | 第17-18页 |
1.2.3 硅纳米孔柱阵列制备及其发展 | 第18-20页 |
1.3 硅基PIN光电探测器简介 | 第20-24页 |
1.3.1 光学吸收 | 第20-21页 |
1.3.2 PN结 | 第21-22页 |
1.3.3 本征层的影响 | 第22-23页 |
1.3.4 伏安特性 | 第23-24页 |
1.4 研究内容和技术路线 | 第24-26页 |
1.4.1 研究内容 | 第24页 |
1.4.2 技术路线 | 第24-26页 |
第二章 纳米压印刻蚀简介 | 第26-34页 |
2.1 引言 | 第26-27页 |
2.2 基本原理 | 第27-28页 |
2.3 纳米压印刻蚀的分类 | 第28-31页 |
2.3.1 热压印刻蚀 | 第28-29页 |
2.3.2 紫外固化压印刻蚀 | 第29-30页 |
2.3.3 微接触压印刻蚀 | 第30页 |
2.3.4 三种压印刻蚀方式的比较 | 第30-31页 |
2.4 纳米压印刻蚀的技术特点 | 第31-32页 |
2.4.1 压印模板 | 第31页 |
2.4.2 压印光刻胶 | 第31-32页 |
2.5 现状与挑战 | 第32-33页 |
2.5.1 纳米压印刻蚀的发展趋势 | 第32-33页 |
2.5.2 面临的问题 | 第33页 |
2.6 本章小结 | 第33-34页 |
第三章 Si-PIN探测器主要性能参数及仿真研究 | 第34-54页 |
3.1 主要性能参数 | 第34-37页 |
3.1.1 量子效率 η | 第34页 |
3.1.2 响应度R | 第34-35页 |
3.1.3 光谱响应范围 | 第35页 |
3.1.4 响应时间 | 第35-36页 |
3.1.5 暗电流Id、噪声与伏安特性 | 第36-37页 |
3.2 器件结构设计及优化 | 第37-39页 |
3.2.1 结构选择 | 第37页 |
3.2.2 材料参数选择 | 第37-39页 |
3.2.3 增透膜设计 | 第39页 |
3.3 仿真参数验算 | 第39-41页 |
3.3.1 响应度和量子效率验算 | 第39-40页 |
3.3.2 响应时间验算 | 第40-41页 |
3.4 模型建立及Silvaco仿真分析 | 第41-43页 |
3.4.1 Silvaco TCAD软件介绍 | 第41-42页 |
3.4.2 物理参数模型设定与结构选择 | 第42-43页 |
3.5 正照式结构及光电特性仿真 | 第43-49页 |
3.5.1 本征层厚度的影响 | 第43-45页 |
3.5.2 基本结构 | 第45-47页 |
3.5.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第47-48页 |
3.5.4 暗电流和响应时间 | 第48-49页 |
3.6 背照式结构及光电特性仿真 | 第49-53页 |
3.6.1 本征层厚度的影响 | 第49-50页 |
3.6.2 基本结构 | 第50-51页 |
3.6.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第51-52页 |
3.6.4 暗电流和响应时间 | 第52-53页 |
3.7 本章小结 | 第53-54页 |
第四章 基于纳米压印刻蚀Si-PIN光电探测器的仿真及验证研究 | 第54-72页 |
4.1 基于硅纳米孔柱阵列的器件仿真研究 | 第54-60页 |
4.1.1 基本结构 | 第54-55页 |
4.1.2 阵列光学性能研究 | 第55-57页 |
4.1.3 阵列光电特性研究 | 第57-60页 |
4.2 基于能带改性硅纳米孔柱阵列的器件仿真研究 | 第60-68页 |
4.2.1 基本结构 | 第60-63页 |
4.2.2 阵列光学性能研究 | 第63-64页 |
4.2.3 阵列光电特性研究 | 第64-68页 |
4.3 基于纳米压印刻蚀 Si-PIN 单元器件的试制与功能验证 | 第68-71页 |
4.4 本章小结 | 第71-72页 |
第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
5.1 总结 | 第72-73页 |
5.2 展望 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
硕士在学期间的研究成果 | 第79-80页 |