| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8-10页 |
| 1.2 硅纳米管的制备 | 第10-11页 |
| 1.3 硅纳米管各种性能的国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 硅纳米管电子性能的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.2 硅纳米管力学性能的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3.3 硅纳米管热稳定性能的研究现状 | 第13页 |
| 1.3.4 硅纳米管其他性能的研究现状 | 第13页 |
| 1.4 纳米谐振器的研究现状 | 第13-17页 |
| 1.4.1 纳机电系统的概念 | 第13-14页 |
| 1.4.2 纳米谐振器的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.5 本文主要的研究目的和内容 | 第17-18页 |
| 第2章 分子动力学和密度泛函理论的基本原理 | 第18-32页 |
| 2.1 引言 | 第18-19页 |
| 2.2 分子动力学方法的基本原理 | 第19-21页 |
| 2.2.1 分子动力学方法的基本方程 | 第19页 |
| 2.2.2 分子动力学模拟方法的基本原理 | 第19-21页 |
| 2.3 分子动力学的原子势函数 | 第21-27页 |
| 2.3.1 原子势函数的简要介绍 | 第21-23页 |
| 2.3.2 势函数 | 第23-27页 |
| 2.4 密度泛函理论的基本原理 | 第27-32页 |
| 2.4.1 密度泛函理论的基本方程 | 第27页 |
| 2.4.2 密度泛函理论的基本原理 | 第27-32页 |
| 第3章 非周期结构和周期结构硅/碳纳米管电子性能的研究 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 模拟参数的设置 | 第32-33页 |
| 3.3 计算模型 | 第33-35页 |
| 3.4 建模方式的不同对硅/碳纳米管电子性能的影响 | 第35-40页 |
| 3.4.1 不同重复单元对周期结构Si NTs和CNTs电子性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.2 长度和悬空键加氢对非周期结构Si NTs电子性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.3 长度和悬空键加氢对非周期结构CNTs电子性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 本章内容小结 | 第40-42页 |
| 第4章 硅纳米线谐振性能的分子动力学模拟 | 第42-52页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 模型的建立和模拟参数的设置 | 第43页 |
| 4.3 模拟计算的理论基础 | 第43-44页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第44-51页 |
| 4.4.1 初始速度振幅对Q值的影响 | 第44-46页 |
| 4.4.2 初始速度振幅对频率的影响 | 第46-49页 |
| 4.4.3 初始速度振幅对其他参数的影响 | 第49-51页 |
| 4.5 本章内容小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 研究内容总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
