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热电薄膜制备及温差能采集器件研究

摘要第4-5页
abstract第5-6页
1 绪论第10-21页
    1.1 热电学研究背景第10-11页
    1.2 热电效应第11-13页
        1.2.1 塞贝克(Seebeck)效应——第一热电效应第11-12页
        1.2.2 帕尔帖(Peltier)效应——第二热电效应第12-13页
        1.2.3 汤姆逊(Thomson)效应——第三热电效应第13页
    1.3 热电材料的研究进展第13-19页
        1.3.1 金属硫属化物第14-15页
        1.3.2 金属氧化物第15-16页
        1.3.3 硅基材料第16-17页
        1.3.4 PGEC热电材料第17-18页
        1.3.5 有机热电材料第18-19页
    1.4 热电器件的研究与进展第19-21页
2 材料制备及表征第21-27页
    2.1 实验材料第21-22页
    2.2 N/P型热电薄膜的制备第22-23页
        2.2.1 实验设备第22页
        2.2.2 实验方案第22-23页
    2.3 热电薄膜物性表征第23-27页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)分析第23-24页
        2.3.2 拉曼光谱分析第24页
        2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)及电子能谱分析(EDS)测试第24-26页
        2.3.4 原子力显微镜(AFM)测试第26页
        2.3.5 薄膜热电性能分析第26-27页
3 N型热电碲化铋薄膜制备与表征第27-39页
    3.1 N型碲化铋热电薄膜制备第27-29页
        3.1.1 电解液配制第27页
        3.1.2 电沉积ITO/Au基底制备第27-28页
        3.1.3 不同沉积时间和不同沉积电位制备N型热电碲化铋薄膜第28-29页
    3.2 N型热电碲化铋薄膜表征第29-38页
        3.2.1 N型热电碲化铋薄膜SEM及EDS分析第29-31页
        3.2.2 N型碲化铋热电薄膜XRD分析第31-32页
        3.2.3 N型碲化铋热电薄膜拉曼分析第32-33页
        3.2.4 N型碲化铋热电薄膜AFM分析第33-35页
        3.2.5 N型碲化铋热电薄膜热电性能分析第35-38页
    3.3 本章小结第38-39页
4 P型热电碲化铋薄膜制备及表征第39-49页
    4.1 P型碲化铋热电薄膜制备第39-40页
        4.1.1 电解液配制第39-40页
        4.1.2 不同沉积时间和不同沉积电位制备P型热电碲化铋薄膜第40页
    4.2 P型热电碲化铋薄膜表第40-48页
        4.2.1 P型热电碲化铋薄膜SEM及EDS分析第41-42页
        4.2.2 P型热电碲化铋薄膜XRD分析第42-43页
        4.2.3 P型碲化铋热电薄膜拉曼分析第43-44页
        4.2.4 P型碲化铋热电薄膜AFM分析第44-45页
        4.2.5 P型热电碲化铋薄膜热电性能分析第45-48页
    4.3 本章小结第48-49页
5 MEMS热电器件的制备第49-62页
    5.1 器件总体设计方案第49-50页
    5.2 MEMS器件结构版图设计第50-52页
    5.3 MEMS热电器件加工工艺研究第52-59页
        5.3.1 湿法晶元清洗第52页
        5.3.2 P型多晶硅薄膜制备第52-53页
        5.3.3 多晶硅图形化刻蚀第53-55页
        5.3.4 金属铝图形化溅射第55-56页
        5.3.5 化学气相沉积二氧化硅及ICP刻蚀第56-57页
        5.3.6 溅射Cr/Au导电层第57页
        5.3.7 隔热端图形化第57-58页
        5.3.8 电镀形成导热层第58-59页
        5.3.9 背腔刻蚀形成散热空腔第59页
    5.4 划片及测试第59-61页
    5.5 本章小结第61-62页
6 总结与展望第62-64页
    6.1 总结第62-63页
    6.2 展望第63-64页
参考文献第64-70页
攻读硕士学位期间发表的论文及取得的成果第70-71页
致谢第71-73页

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