摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-21页 |
1.1 热电学研究背景 | 第10-11页 |
1.2 热电效应 | 第11-13页 |
1.2.1 塞贝克(Seebeck)效应——第一热电效应 | 第11-12页 |
1.2.2 帕尔帖(Peltier)效应——第二热电效应 | 第12-13页 |
1.2.3 汤姆逊(Thomson)效应——第三热电效应 | 第13页 |
1.3 热电材料的研究进展 | 第13-19页 |
1.3.1 金属硫属化物 | 第14-15页 |
1.3.2 金属氧化物 | 第15-16页 |
1.3.3 硅基材料 | 第16-17页 |
1.3.4 PGEC热电材料 | 第17-18页 |
1.3.5 有机热电材料 | 第18-19页 |
1.4 热电器件的研究与进展 | 第19-21页 |
2 材料制备及表征 | 第21-27页 |
2.1 实验材料 | 第21-22页 |
2.2 N/P型热电薄膜的制备 | 第22-23页 |
2.2.1 实验设备 | 第22页 |
2.2.2 实验方案 | 第22-23页 |
2.3 热电薄膜物性表征 | 第23-27页 |
2.3.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第23-24页 |
2.3.2 拉曼光谱分析 | 第24页 |
2.3.3 扫描电子显微镜(SEM)及电子能谱分析(EDS)测试 | 第24-26页 |
2.3.4 原子力显微镜(AFM)测试 | 第26页 |
2.3.5 薄膜热电性能分析 | 第26-27页 |
3 N型热电碲化铋薄膜制备与表征 | 第27-39页 |
3.1 N型碲化铋热电薄膜制备 | 第27-29页 |
3.1.1 电解液配制 | 第27页 |
3.1.2 电沉积ITO/Au基底制备 | 第27-28页 |
3.1.3 不同沉积时间和不同沉积电位制备N型热电碲化铋薄膜 | 第28-29页 |
3.2 N型热电碲化铋薄膜表征 | 第29-38页 |
3.2.1 N型热电碲化铋薄膜SEM及EDS分析 | 第29-31页 |
3.2.2 N型碲化铋热电薄膜XRD分析 | 第31-32页 |
3.2.3 N型碲化铋热电薄膜拉曼分析 | 第32-33页 |
3.2.4 N型碲化铋热电薄膜AFM分析 | 第33-35页 |
3.2.5 N型碲化铋热电薄膜热电性能分析 | 第35-38页 |
3.3 本章小结 | 第38-39页 |
4 P型热电碲化铋薄膜制备及表征 | 第39-49页 |
4.1 P型碲化铋热电薄膜制备 | 第39-40页 |
4.1.1 电解液配制 | 第39-40页 |
4.1.2 不同沉积时间和不同沉积电位制备P型热电碲化铋薄膜 | 第40页 |
4.2 P型热电碲化铋薄膜表 | 第40-48页 |
4.2.1 P型热电碲化铋薄膜SEM及EDS分析 | 第41-42页 |
4.2.2 P型热电碲化铋薄膜XRD分析 | 第42-43页 |
4.2.3 P型碲化铋热电薄膜拉曼分析 | 第43-44页 |
4.2.4 P型碲化铋热电薄膜AFM分析 | 第44-45页 |
4.2.5 P型热电碲化铋薄膜热电性能分析 | 第45-48页 |
4.3 本章小结 | 第48-49页 |
5 MEMS热电器件的制备 | 第49-62页 |
5.1 器件总体设计方案 | 第49-50页 |
5.2 MEMS器件结构版图设计 | 第50-52页 |
5.3 MEMS热电器件加工工艺研究 | 第52-59页 |
5.3.1 湿法晶元清洗 | 第52页 |
5.3.2 P型多晶硅薄膜制备 | 第52-53页 |
5.3.3 多晶硅图形化刻蚀 | 第53-55页 |
5.3.4 金属铝图形化溅射 | 第55-56页 |
5.3.5 化学气相沉积二氧化硅及ICP刻蚀 | 第56-57页 |
5.3.6 溅射Cr/Au导电层 | 第57页 |
5.3.7 隔热端图形化 | 第57-58页 |
5.3.8 电镀形成导热层 | 第58-59页 |
5.3.9 背腔刻蚀形成散热空腔 | 第59页 |
5.4 划片及测试 | 第59-61页 |
5.5 本章小结 | 第61-62页 |
6 总结与展望 | 第62-64页 |
6.1 总结 | 第62-63页 |
6.2 展望 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及取得的成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-73页 |