铁电存储器的辐射效应研究与加固设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 半导体存储器介绍 | 第9-11页 |
| 1.2 铁电存储器的优点及应用 | 第11-12页 |
| 1.3 辐照环境以及抗辐照加固方法介绍 | 第12-14页 |
| 1.3.1 空间环境介绍 | 第12-13页 |
| 1.3.2 单粒子效应及其影响 | 第13页 |
| 1.3.3 总剂量效应介绍及其影响 | 第13-14页 |
| 1.3.4 抗辐照加固技术 | 第14页 |
| 1.4 铁电存储器国内外研究状况 | 第14-16页 |
| 1.4.1 国外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4.2 国内研究现状 | 第16页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 铁电存储器相关理论研究 | 第18-27页 |
| 2.1 铁电材料及铁电效应 | 第18页 |
| 2.2 FRAM读写原理 | 第18-21页 |
| 2.2.1 FRAM存储单元结构 | 第18-20页 |
| 2.2.2 2T-2C存储单元读写时序 | 第20-21页 |
| 2.3 FRAM模块设计 | 第21-26页 |
| 2.3.1 阵列设计 | 第21-22页 |
| 2.3.2 地址通路设计 | 第22-24页 |
| 2.3.3 数据通路设计 | 第24-25页 |
| 2.3.4 电荷泵 | 第25-26页 |
| 2.3.5 时序控制单元 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 辐照效应研究与抗辐照加固 | 第27-44页 |
| 3.1 SEU辐照效应研究 | 第27-36页 |
| 3.1.1 sentaurus器件仿真平台 | 第27-28页 |
| 3.1.2 NMOS器件模型 | 第28-30页 |
| 3.1.3 NMOS器件I-V特性仿真 | 第30-31页 |
| 3.1.4 NMOS晶体管单粒子效应仿真 | 第31-36页 |
| 3.2 抗辐照加固技术 | 第36-43页 |
| 3.2.1 抗单粒子翻转锁存器设计 | 第36-40页 |
| 3.2.2 抗单粒子闩锁加固措施与版图的模块设计 | 第40-42页 |
| 3.2.3 抗总剂量加固措施 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 抗辐照铁电存储器设计与实现 | 第44-54页 |
| 4.1 抗辐照铁电存储器电路设计 | 第44-46页 |
| 4.1.1 FRAM整体设计与模块划分 | 第44-45页 |
| 4.1.2 FRAM读写时序 | 第45页 |
| 4.1.3 DICE抗单粒子加固 | 第45-46页 |
| 4.2 FRAM整体电路仿真 | 第46页 |
| 4.3 FRAM版图设计 | 第46-51页 |
| 4.3.1 版图设计流程 | 第47-48页 |
| 4.3.2 环形栅与半环形栅以及保护环加固措施 | 第48页 |
| 4.3.3 存储单元及阵列版图模块 | 第48-49页 |
| 4.3.4 字线地址译码驱动及电荷泵版图模块 | 第49页 |
| 4.3.5 敏感放大器版图模块 | 第49页 |
| 4.3.6 端口设计 | 第49-50页 |
| 4.3.7 其他模块版图设计 | 第50页 |
| 4.3.8 电源网格与布局布线 | 第50-51页 |
| 4.3.9 版图验证 | 第51页 |
| 4.4 版图的后仿真 | 第51-53页 |
| 4.4.1 寄生参数的提取 | 第51-52页 |
| 4.4.2 后仿真结果 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第60-61页 |
