| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 In_xGa_(1-x)As 的性质 | 第11-12页 |
| 1.3 In_xGa_(1-x)As 外延材料的研究进展 | 第12-17页 |
| 1.3.1 In_xGa_(1-x)As 薄膜的常用衬底材料 | 第12-13页 |
| 1.3.2 Si 衬底上制备 In_xGa_(1-x)As 薄膜存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.3.3 Si 衬底上制备 In_xGa_(1-x)As 薄膜的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 In_xGa_(1-x)As 薄膜制备及测试表征 | 第20-26页 |
| 2.1 In_xGa_(1-x)As 薄膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 In_xGa_(1-x)As 薄膜制备方法 | 第20页 |
| 2.1.2 MBE 技术及工作原理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 MBE 技术制备 In_xGa_(1-x)As 薄膜 | 第21页 |
| 2.2 Si 衬底上外延生长高质量 In_xGa_(1-x)As 薄膜的工艺及温度 | 第21-23页 |
| 2.2.1 缓冲层工艺 | 第22页 |
| 2.2.2 退火工艺 | 第22页 |
| 2.2.3 生长温度 | 第22-23页 |
| 2.3 In_xGa_(1-x)As 薄膜的测试表征方法 | 第23-26页 |
| 2.3.1 HR-XRD | 第23-24页 |
| 2.3.2 SEM | 第24-25页 |
| 2.3.3 AFM | 第25页 |
| 2.3.4 TEM | 第25-26页 |
| 第三章 缓冲层工艺对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量的影响研究 | 第26-61页 |
| 3.1 In_xGa_(1-x)As 中 In 含量（x 值）与 In 源温度的关系 | 第26-27页 |
| 3.2 单层缓冲层对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第27-32页 |
| 3.2.1 实验 | 第27-28页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第28-32页 |
| 3.3 单层缓冲层结合退火工艺对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第32-37页 |
| 3.3.1 实验 | 第32-33页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3.4 单层缓冲层结合退火工艺的优化 | 第37-53页 |
| 3.4.1 缓冲层温度对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第37-40页 |
| 3.4.2 缓冲层厚度对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第40-45页 |
| 3.4.3 退火温度对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第45-49页 |
| 3.4.4 退火时间对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第49-53页 |
| 3.4.5 单缓冲层优化小结 | 第53页 |
| 3.5 双层渐变缓冲层对 In_(0.55)Ga_(0.45)As 薄膜质量影响的研究 | 第53-59页 |
| 3.5.1 实验 | 第53-54页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第54-59页 |
| 3.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 In_(0.3)Ga_(0.7)As 薄膜的外延生长研究 | 第61-78页 |
| 4.1 不同 In 含量 In_xGa_(1-x)As 缓冲层对 In_(0.3)Ga_(0.7)As 薄膜的影响 | 第61-69页 |
| 4.2 生长温度对 In_(0.3)Ga_(0.7)As 薄膜质量影响的研究 | 第69-76页 |
| 4.2.1 实验 | 第70页 |
| 4.2.2 生长温度对 In_(0.3)Ga_(0.7)As 薄膜晶体质量影响的研究 | 第70-73页 |
| 4.2.3 生长温度对 In_(0.3)Ga_(0.7)As 薄膜表面形貌影响的研究 | 第73-76页 |
| 4.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 总结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 附件 | 第86页 |
