| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 低维半导体纳米材料简介 | 第10-11页 |
| 1.2 光谱表征 | 第11-17页 |
| 1.2.1 常用光谱表征 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光致发光简介 | 第13-15页 |
| 1.2.3 微区光谱 | 第15页 |
| 1.2.4 直接跃迁和间接跃迁 | 第15-17页 |
| 1.3 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 低温可见-近红外显微荧光系统 | 第18-26页 |
| 2.1 低温可见-近红外显微荧光系统的四大组成部分 | 第18-21页 |
| 2.2 常用光路图 | 第21页 |
| 2.3 光谱系统的光谱响应校正 | 第21-24页 |
| 2.4 光谱系统的一些参数 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 WSe_2薄膜随其层数的变化特性 | 第26-33页 |
| 3.1 背景介绍 | 第26-28页 |
| 3.1.1 定义与研究现状 | 第26页 |
| 3.1.2 薄膜的生长、制备方式 | 第26-27页 |
| 3.1.3 过渡金属二硫族化合物二维材料的特点 | 第27-28页 |
| 3.2 WSe_2薄膜的生长与表征测量系统 | 第28-29页 |
| 3.2.1 WSe_2薄膜的生长 | 第28页 |
| 3.2.2 WSe_2薄膜的表征测量系统 | 第28-29页 |
| 3.3 纳米层状结构和形貌分析 | 第29-30页 |
| 3.4 PL结果分析 | 第30-32页 |
| 3.5 本章结论 | 第32-33页 |
| 第四章 两层WSe_2薄膜荧光谱的温度特性 | 第33-35页 |
| 4.1 两层WSe_2薄膜随温度变化的光致发光光谱 | 第33页 |
| 4.2 两层WSe_2薄膜光致发光光谱的分析 | 第33-34页 |
| 4.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 并五苯、苝酰亚胺衍生物光谱研究 | 第35-38页 |
| 5.1 并五苯薄层的光谱研究 | 第35页 |
| 5.2 苝酰亚胺衍生物(PTCDI)的光谱研究 | 第35-37页 |
| 5.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第六章 总结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第41-43页 |
| 学位论文数据集 | 第43页 |