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1200V新型逆导型IGBT的研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
1 绪论第8-16页
    1.1 IGBT的研究背景及意义第8-9页
    1.2 国外研究进展第9-13页
    1.3 国内研究进展第13-15页
    1.4 本文的主要工作第15-16页
2 常规RC-IGBT的特性仿真与工作机理分析第16-34页
    2.1 常规RC-IGBT的元胞结构第16-17页
    2.2 RC-IGBT电压回跳的机理分析第17-20页
    2.3 仿真所使用的物理模型介绍第20页
    2.4 常规RC-IGBT的静态特性第20-30页
        2.4.1 常规RC-IGBT的导通特性第20-29页
        2.4.2 背面尺寸对RC-IGBT的导通特性的影响第29-30页
    2.5 常规RC-IGBT的动态特性第30-32页
        2.5.1 常规RC-IGBT的关断特性第30-31页
        2.5.2 常规RC-IGBT的反向恢复特性第31-32页
    2.6 本章小结第32-34页
3 SF RC-IGBT的结构设计与优化第34-42页
    3.1 SF RC-IGBT的元胞结构第34-35页
    3.2 SF RC-IGBT 的静态特性第35-40页
        3.2.1 SF RC-IGBT 的导通特性第35-39页
        3.2.2 SF RC-IGBT 的阻断特性第39-40页
    3.3 SF RC-IGBT 的动态特性第40-41页
    3.4 本章小结第41-42页
4 沟槽栅快恢复RC-IGBT的设计第42-54页
    4.1 沟槽栅快恢复RC-IGBT的元胞结构第42-43页
    4.2 沟槽栅快恢复RC-IGBT在IGBT工作模式下的特性第43-48页
        4.2.1 沟槽栅快恢复RC-IGBT的正向导通特性第43-46页
        4.2.2 沟槽栅快恢复RC-IGBT的阻断特性第46-47页
        4.2.3 沟槽栅快恢复RC-IGBT的开关特性第47-48页
    4.3 沟槽栅快恢复RC-IGBT在FWD工作模式下的特性第48-49页
    4.4 沟槽栅快恢复RC-IGBT的工艺流程设计第49-52页
    4.5 本章小结第52-54页
5 总结与展望第54-56页
    5.1 结论第54页
    5.2 后期工作展望第54-56页
致谢第56-58页
参考文献第58-62页
附录第62页

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