| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第17-29页 |
| 1.1 超导的发展历程 | 第17-20页 |
| 1.2 铁基高温超导体 | 第20-27页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第21-22页 |
| 1.2.2 相图 | 第22-23页 |
| 1.2.3 基本电子结构 | 第23-25页 |
| 1.2.4 超导能隙对称性 | 第25-27页 |
| 1.3 小结与展望 | 第27-29页 |
| 第二章 角分辨光电子能谱原理及技术 | 第29-61页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱的原理 | 第29-41页 |
| 2.1.1 光电子能谱的基本原理 | 第29-31页 |
| 2.1.2 光电子能谱的动力学过程 | 第31-34页 |
| 2.1.3 三步模型 | 第34-36页 |
| 2.1.4 突发近似和绝热极限 | 第36-38页 |
| 2.1.5 单粒子谱函数 | 第38-39页 |
| 2.1.6 矩阵元效应和有限分辨率效应 | 第39-41页 |
| 2.2 角分辨光电子能谱系统 | 第41-52页 |
| 2.2.1 光源系统 | 第42-47页 |
| 2.2.2 超高真空系统 | 第47-48页 |
| 2.2.3 低温样品台 | 第48-49页 |
| 2.2.4 电子能量分析器 | 第49-50页 |
| 2.2.5 其它辅助部分 | 第50-52页 |
| 2.3 自旋分辨角分辨光电子能谱 | 第52-58页 |
| 2.3.1 莫特散射 | 第52-55页 |
| 2.3.2 莫特探测器 | 第55-56页 |
| 2.3.3 自旋分辨角分辨光电子能谱 | 第56-58页 |
| 2.4 ARPES-MBE-STM系统 | 第58-59页 |
| 2.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第三章 FeSe/SrTiO_3薄膜的分子束外延生长 | 第61-71页 |
| 3.1 分子束外延技术简介 | 第61-63页 |
| 3.2 扫描隧道显微镜的基本工作原理 | 第63-65页 |
| 3.2.1 隧穿电流 | 第63-64页 |
| 3.2.2 恒流模式 | 第64-65页 |
| 3.2.3 恒高模式 | 第65页 |
| 3.3 FeSe薄膜的分子束外延生长 | 第65-70页 |
| 3.3.1 SrTiO_3衬底处理 | 第66-67页 |
| 3.3.2 FeSe薄膜生长 | 第67-68页 |
| 3.3.3 FeSe薄膜后退火处理 | 第68-70页 |
| 3.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 单层FeSe/SrTiO_3薄膜中大量额外的Fe的发现 | 第71-87页 |
| 4.1 背景介绍 | 第71-73页 |
| 4.2 单层FeSe/STO薄膜中额外的Fe | 第73-79页 |
| 4.2.1 单层FeSe/STO薄膜的制备 | 第73-74页 |
| 4.2.2 单层FeSe/STO薄膜上的小岛 | 第74-77页 |
| 4.2.3 确定小岛的成分 | 第77-79页 |
| 4.3 FeSe/STO薄膜中额外的Fe的来源 | 第79-82页 |
| 4.3.1 亚单层和1.5 ML FeSe/STO薄膜的制备 | 第80-81页 |
| 4.3.2 不同层数FeSe/STO薄膜中额外的Fe | 第81-82页 |
| 4.4 单层FeSe/STO薄膜中额外的Fe的可能存在的位置 | 第82-83页 |
| 4.5 其它实验 | 第83-85页 |
| 4.5.1 单层FeSe/STO薄膜上沉积Fe | 第83-84页 |
| 4.5.2 2 ML FeSe/STO薄膜上沉积Se | 第84-85页 |
| 4.6 讨论和展望 | 第85-86页 |
| 4.7 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 单层FeSe/SrTiO_3薄膜的母体及其随掺杂的演化 | 第87-123页 |
| 5.1 研究背景 | 第87-101页 |
| 5.1.1 单层FeSe/STO薄膜的电子结构 | 第88-89页 |
| 5.1.2 单层FeSe/STO薄膜的超导能隙 | 第89-92页 |
| 5.1.3 单层FeSe/STO的相图 | 第92-96页 |
| 5.1.4 多层FeSe/STO薄膜 | 第96-99页 |
| 5.1.5 单层FeSe/STO薄膜中高T_C的起源 | 第99-101页 |
| 5.1.6 小结 | 第101页 |
| 5.2 实验方法 | 第101页 |
| 5.3 真空退火对FeSe/STO薄膜电子结构的调控 | 第101-107页 |
| 5.3.1 真空退火的条件 | 第101-102页 |
| 5.3.2 电子结构的演化 | 第102-104页 |
| 5.3.3 单层和双层FeSe载流子浓度的变化 | 第104-105页 |
| 5.3.4 Replica bands | 第105-107页 |
| 5.4 K-doping对FeSe/STO薄膜电子结构的调控 | 第107-111页 |
| 5.4.1 单层和二层FeSe区域电子结构的演化 | 第107-109页 |
| 5.4.2 2 ML和20 ML FeSe/STO薄膜的K掺杂实验 | 第109-111页 |
| 5.5 Se-doping对单层FeSe/STO电子结构的调控 | 第111-115页 |
| 5.5.1 低温下原位蒸Se | 第111-113页 |
| 5.5.2 室温下原位蒸Se并退火 | 第113-115页 |
| 5.6 讨论和总结 | 第115-123页 |
| 5.6.1 单层FeSe/STO薄膜的奇异相图 | 第115-117页 |
| 5.6.2 单层FeSe/STO薄膜的掺杂机制 | 第117-123页 |
| 第六章 角分辨光电子能谱对稀磁半导体(Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2的研究 | 第123-141页 |
| 6.1 背景介绍 | 第123-128页 |
| 6.1.1 DMSs材料的发展历程 | 第123-124页 |
| 6.1.2 铁磁性起源的理论模型 | 第124-126页 |
| 6.1.3 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2的研究现状 | 第126-128页 |
| 6.2 实验方法 | 第128-129页 |
| 6.3 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2的电子结构 | 第129-134页 |
| 6.3.1 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2的费米面 | 第129-130页 |
| 6.3.2 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2的能带结构 | 第130-132页 |
| 6.3.3 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2中的p-d相互作用 | 第132-133页 |
| 6.3.4 (Ba_(1-x),K_x)(Zn_(1-y),Mn_y)_2As_2中掺入Mn和K的作用 | 第133-134页 |
| 6.4 讨论和总结 | 第134-141页 |
| 第七章 总结 | 第141-143页 |
| 参考文献 | 第143-157页 |
| 发表文章目录 | 第157-161页 |
| 个人简历 | 第161-162页 |
| 致谢 | 第162页 |
