| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第11-31页 |
| 1.1 铁基超导材料概况 | 第11-22页 |
| 1.1.1 铁基超导体的发现及探索 | 第12-18页 |
| 1.1.2 铁基超导电性的机理研究 | 第18-19页 |
| 1.1.3 铁基超导体的应用研究及前景 | 第19-22页 |
| 1.2 铁基超导多晶与单晶块材的制备方法 | 第22-26页 |
| 1.2.1 多晶样品的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.2.2 单晶样品的制备方法 | 第23-26页 |
| 1.3 铁基超导薄膜的制备方法 | 第26-28页 |
| 1.3.1 物理方法 | 第26-27页 |
| 1.3.2 化学方法 | 第27页 |
| 1.3.3 其它方法 | 第27-28页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容及意义 | 第28-30页 |
| 1.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第2章 水热合成法及样品表征方法 | 第31-44页 |
| 2.1 水热合成法 | 第31-39页 |
| 2.1.1 水热合成法的原理 | 第31-35页 |
| 2.1.2 水热合成法在铁基超导材料中的应用 | 第35-39页 |
| 2.2 结构、成份及形貌表征方法 | 第39-42页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术 | 第40-41页 |
| 2.2.2 电感耦合等离子体原子发射光谱法 | 第41-42页 |
| 2.2.3 扫描电子显微技术及X射线能谱 | 第42页 |
| 2.3 超导电性的表征方法 | 第42-43页 |
| 2.3.1 零电阻输运测量 | 第42页 |
| 2.3.2 完全抗磁性测量 | 第42-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 (Li,Fe)OHFeSe系列单晶的制备及超导电性 | 第44-51页 |
| 3.1 系列单晶样品的制备 | 第44-45页 |
| 3.2 系列单晶样品的结构表征 | 第45-48页 |
| 3.3 系列单晶样品的超导转变 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 MAHEG法制备(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜及其超导临界参数 | 第51-61页 |
| 4.1 实验背景 | 第51-53页 |
| 4.1.1 FeSe基超导薄膜的合成进展 | 第51页 |
| 4.1.2 (Li_(1-x)Fe_x)OHFe_(1-y)Se超导体的研究现状 | 第51-53页 |
| 4.2 薄膜制备及表征 | 第53-56页 |
| 4.2.1 基体辅助水热外延生长技术(MAHEG) | 第53-55页 |
| 4.2.2 高质量薄膜的XRD结构表征 | 第55-56页 |
| 4.3 高临界参数的测量与分析 | 第56-60页 |
| 4.3.1 超导转变温度T_c | 第56-58页 |
| 4.3.2 上临界磁场H_(c2) | 第58-59页 |
| 4.3.3 临界电流密度J_c | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第5章 (Li,Fe)OHFeSe体系单晶薄膜的电输运特性 | 第61-76页 |
| 5.1 实验背景 | 第61-66页 |
| 5.1.1 高质量不同T_c的单晶薄膜样品制备 | 第61-62页 |
| 5.1.2 结构及超导电性表征 | 第62-66页 |
| 5.2 实验结果及分析 | 第66-74页 |
| 5.2.1 霍尔电阻率随磁场和温度的变化关系 | 第66页 |
| 5.2.2 霍尔系数及其特征温度T~*随T_c的变化关系 | 第66-68页 |
| 5.2.3 补偿金属近似的双带Drude输运模型 | 第68-72页 |
| 5.2.4 迁移率的奇异行为 | 第72-74页 |
| 5.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第6章 结论与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-92页 |
| 个人简历 | 第92-93页 |
| 发表文章目录 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
