| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 薄膜半导体背景介绍 | 第10-11页 |
| 1.2 LaCrO_3及Sr掺杂LaCrO_3的材料介绍 | 第11-17页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第11-14页 |
| 1.2.2 电子结构和能带 | 第14-15页 |
| 1.2.3 缺陷和氧空穴 | 第15-16页 |
| 1.2.4 力学、热力学、磁性及电学性性能 | 第16-17页 |
| 1.3 半导体氧化物La_(1-x)Sr_xCrO_3薄膜研究介绍 | 第17-22页 |
| 1.3.1 阻变存储 | 第18-19页 |
| 1.3.2 p型透明导电 | 第19-21页 |
| 1.3.3 p-n结整流 | 第21-22页 |
| 1.4 实验技术 | 第22-27页 |
| 1.4.1 脉冲激光沉积简介 | 第23-24页 |
| 1.4.2 靶材制备方法介绍 | 第24-25页 |
| 1.4.3 测试设备介绍 | 第25页 |
| 1.4.4 薄膜衬底及参数 | 第25-27页 |
| 1.4.5 分析技术 | 第27页 |
| 1.5 本课题的选取意义和研究内容 | 第27-28页 |
| 第2章 La_(1-x)Sr_xCrO_3靶材制备及薄膜生长 | 第28-40页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 靶材的制备及表征 | 第28-32页 |
| 2.2.1 靶材的制备过程 | 第28-29页 |
| 2.2.2 靶材结构表征 | 第29-31页 |
| 2.2.3 LaCrO_3靶材能谱 | 第31页 |
| 2.2.4 LaCrO_3靶材X光电子能谱 | 第31-32页 |
| 2.3 PLD下LaCrO_3薄膜生长 | 第32-39页 |
| 2.3.1 PLD下LaCrO_3薄膜生长的意义 | 第32-33页 |
| 2.3.2 LaCrO_3薄膜生长及相图 | 第33页 |
| 2.3.3 LaCrO_3薄膜结构和形貌表征 | 第33-35页 |
| 2.3.4 LaCrO_3薄膜化学价态分析 | 第35-39页 |
| 2.4 小结 | 第39-40页 |
| 第3章 LaCrO_3薄膜的非易失性阻变性能 | 第40-49页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 Au/LaCrO_3/Pt器件的制备与测试设备 | 第40-41页 |
| 3.3 实验结果 | 第41-48页 |
| 3.3.1 结构表征 | 第41-42页 |
| 3.3.2 形貌表征 | 第42页 |
| 3.3.3 阻变性能 | 第42-45页 |
| 3.3.4 阻变机制 | 第45-48页 |
| 3.4 小结 | 第48页 |
| 3.5 展望 | 第48-49页 |
| 第4章 p型半导体氧化物La_(1-x)Sr_xCrO_3薄膜电学性能 | 第49-64页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 La_(1-x)Sr_xCrO_3薄膜导电性能 | 第49-55页 |
| 4.2.1 薄膜样品制备与测试设备 | 第49-50页 |
| 4.2.2 样品表征 | 第50-51页 |
| 4.2.3 电学特性与机制 | 第51-55页 |
| 4.3 La_(1-x)Sr_xCrO_3/Nb:SrTiO_3器件的整流特性 | 第55-63页 |
| 4.3.1 器件制备与测试设备 | 第55页 |
| 4.3.2 样品表征 | 第55-56页 |
| 4.3.3 整流行为与整流机制 | 第56-63页 |
| 4.4 小结 | 第63页 |
| 4.5 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第75页 |
