| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章. 绪论 | 第5-19页 |
| 1.1 集成电路发展现状 | 第5-10页 |
| 1.2 双栅MOSFET介绍 | 第10-13页 |
| 1.3 两种MOSFET结构的改进 | 第13-18页 |
| 1.3.1 双材料双栅结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2 无结MOSFET | 第15-18页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章. 纳米电子器件的建模与仿真 | 第19-23页 |
| 2.1 建模与仿真的意义 | 第19页 |
| 2.2 仿真软件介绍 | 第19-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章. 双栅MOSFET的沟道电势和亚阈值摆幅研究 | 第23-35页 |
| 3.1 前言 | 第23页 |
| 3.2 模型 | 第23-28页 |
| 3.2.1 电势模型 | 第24-26页 |
| 3.2.2 亚阈值摆幅模型 | 第26-28页 |
| 3.3 双栅MOSFET的亚阈值特性研究 | 第28-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章. 双材料双栅MOSFET的沟道电势和亚阈值摆幅模型研究 | 第35-42页 |
| 4.1 前言 | 第35页 |
| 4.2 模型 | 第35-38页 |
| 4.2.1 电势模型 | 第35-37页 |
| 4.2.2 亚阈值摆幅模型 | 第37-38页 |
| 4.3 模型验证 | 第38-41页 |
| 4.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章. 无结双栅MOSFET的电势与电流电压特性模型研究 | 第42-54页 |
| 5.1 前言 | 第42页 |
| 5.2 解析模型 | 第42-50页 |
| 5.2.1 电势模型 | 第43-48页 |
| 5.2.2 电流与阈值电压模型 | 第48-50页 |
| 5.3 无结双栅MOSFET的电流电压特性研究 | 第50-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章. 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士期间发表论文和申请专利 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
