| 作者简介 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 INP 基 HEMT 的优势 | 第12-13页 |
| 1.3 国内外研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3.1 国外发展现状 | 第13-15页 |
| 1.3.2 国内发展现状 | 第15-16页 |
| 1.4 INP 基 HEMT 及 MMIC 研究的关键问题 | 第16-18页 |
| 1.4.1 InP 基 HEMT 研究的关键问题 | 第16-17页 |
| 1.4.2 InP 基 HEMT MMIC 研究的关键问题 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文研究思路及主要研究内容 | 第18-21页 |
| 1.5.1 论文研究思路 | 第18-19页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 InP 基 HEMT 器件理论 | 第21-41页 |
| 2.1 金属半导体接触特性 | 第21-24页 |
| 2.1.1 整流（Schottky）接触 | 第21-22页 |
| 2.1.2 金属半导体欧姆接触 | 第22-24页 |
| 2.2 HEMT 器件工作原理 | 第24-30页 |
| 2.2.1 异质结及二维电子气 | 第24-25页 |
| 2.2.2 HEMT 器件栅调制效应 | 第25-27页 |
| 2.2.3 HEMT 器件电流-电压关系 | 第27-30页 |
| 2.3 HEMT 器件特性 | 第30-36页 |
| 2.3.1 跨导特性 | 第30页 |
| 2.3.2 输出电导 | 第30-31页 |
| 2.3.3 击穿特性 | 第31-32页 |
| 2.3.4 小信号等效电路 | 第32-33页 |
| 2.3.5 频率特性参数 | 第33-36页 |
| 2.4 器件的外延层材料 | 第36-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 InP 基 HEMT 器件关键工艺开发 | 第41-67页 |
| 3.1 欧姆接触特性研究 | 第41-50页 |
| 3.1.1 源漏电阻对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 3.1.2 接触电阻的测试方法 | 第43-45页 |
| 3.1.3 欧姆接触特性优化 | 第45-50页 |
| 3.2 T 型栅工艺 | 第50-59页 |
| 3.2.1 PMMA/Al/UVIII 栅帽栅脚两次曝光工艺 | 第51-56页 |
| 3.2.2 PMGI/ZEP/PMGI/ZEP 自对准曝光工艺 | 第56-59页 |
| 3.3 栅槽腐蚀工艺 | 第59-63页 |
| 3.3.1 湿法腐蚀工艺 | 第59-60页 |
| 3.3.2 InGaAs 材料的选择性腐蚀 | 第60-62页 |
| 3.3.3 InP 腐蚀截止层 ICP 干法刻蚀 | 第62-63页 |
| 3.4 INP 基 HEMT MMIC 工艺流程 | 第63-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 InP 基 HEMT 器件性能分析 | 第67-95页 |
| 4.1 INP 基 HEMT 器件性能参数测量 | 第67-72页 |
| 4.1.1 击穿电压测试 | 第67-68页 |
| 4.1.2 频率特性测试 | 第68-70页 |
| 4.1.3 噪声参数测量 | 第70-72页 |
| 4.1.4 Load Pull 功率特性测量 | 第72页 |
| 4.2 不带 INP 截止层器件性能分析 | 第72-80页 |
| 4.2.1 Kink 效应 | 第73-74页 |
| 4.2.2 栅槽腐蚀宽度对器件性能的影响 | 第74-78页 |
| 4.2.3 器件测试及性能分析 | 第78-80页 |
| 4.3 带 INP 截止层器件性能分析 | 第80-92页 |
| 4.3.1 钝化对器件性能影响 | 第81-85页 |
| 4.3.2 栅宽对器件性能影响 | 第85-88页 |
| 4.3.3 偏置对器件频率特性影响 | 第88-90页 |
| 4.3.4 偏置对器件噪声参数影响 | 第90-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-95页 |
| 第五章 W 波段共源共栅放大电路设计 | 第95-113页 |
| 5.1 放大电路拓扑的选取 | 第95-98页 |
| 5.1.1 源简并电感型共源结构 | 第95-97页 |
| 5.1.2 共源共栅结构 | 第97-98页 |
| 5.2 共源共栅单胞设计要点 | 第98-99页 |
| 5.3 布线形式选取 | 第99-100页 |
| 5.4 单级 W 波段低噪声放大器 | 第100-108页 |
| 5.4.1 单级 W 波段低噪声放大器仿真 | 第100-103页 |
| 5.4.2 单级 W 波段低噪声放大器测试 | 第103-108页 |
| 5.5 两级 W 波段共源共栅放大器 | 第108-112页 |
| 5.5.1 两级 W 波段共源共栅放大器仿真 | 第108-110页 |
| 5.5.2 两级 W 波段共源共栅放大器测试 | 第110-112页 |
| 5.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 第六章 总结与展望 | 第113-117页 |
| 6.1 总结 | 第113-115页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-131页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第131-134页 |
| 学术论文及专利 | 第131-133页 |
| 参加的科研项目 | 第133-134页 |
