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NiO纳米线的制备与光催化性能的研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4页
第1章 概论第7-23页
    1.1 引言第7-8页
    1.2 半导体光催化技术第8-12页
        1.2.1 半导体光催化技术的原理第8-9页
        1.2.2 半导体光催化技术的研究进展第9-12页
    1.3 氧化镍纳米材料第12-22页
    1.4 本课题的提出第22-23页
第2章 实验部分第23-33页
    2.1 实验试剂与仪器设备第23-24页
        2.1.1 实验原料与试剂第23页
        2.1.2 实验仪器与设备第23-24页
    2.2 氧化镍纳米线的制备第24-27页
        2.2.1 镍纳米线的制备第25-26页
        2.2.2 氧化镍纳米线的制备第26-27页
    2.3 微观结构表征方法第27-30页
        2.3.1 扫描电子显微镜第27-28页
        2.3.2 透射电子显微镜第28-29页
        2.3.3 X射线衍射第29-30页
        2.3.4 能量色散光谱分析第30页
    2.4 光催化性能测试第30-33页
第3章 纳米线的制备及表征分析第33-42页
    3.1 Ni纳米线的生长机理第33-34页
    3.2 Ni纳米线制备工艺的优化第34-39页
    3.3 纳米线表征与分析第39-42页
第4章 光催化性能测试与分析第42-49页
    4.1 氧化镍纳米线光催化性能测试与分析第42-45页
    4.2 掺锌氧化镍纳米线光催化性能测试与分析第45-49页
第5章 结论第49-50页
参考文献第50-54页
攻读硕士学位期间完成的学术论文第54-55页
致谢第55页

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