| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 基于铅量子点的合成 | 第13-20页 |
| 1.2.1 硒化铅(PbSe)量子点的合成 | 第13-16页 |
| 1.2.2 硫化铅(PbS)量子点的合成 | 第16页 |
| 1.2.3 PbSe/CdSe与PbS/CdS核壳量子点的合成 | 第16-20页 |
| 1.3 基于铅量子点的表面修饰 | 第20-24页 |
| 1.4 基于铅量子点的性质 | 第24-26页 |
| 1.5 其它近红外发光量子点 | 第26-27页 |
| 1.6 近红外纳米颗粒的应用 | 第27-28页 |
| 1.6.1 近红外量子点在近红外发光二极管中的应用 | 第27页 |
| 1.6.2 近红外核壳量子点在双稳态器件当中的应用 | 第27-28页 |
| 1.7 本文研究的思路和主要内容 | 第28-30页 |
| 1.7.1 本文研究的思路 | 第28-29页 |
| 1.7.2 本文研究的主要内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第二章 高荧光效率近红外PbS和PbS/CdS核壳量子点的合成及其IR-LED的应用 | 第34-58页 |
| 2.1 实验部分 | 第34-37页 |
| 2.1.1 实验试剂和仪器 | 第34-35页 |
| 2.1.2 铅、镉和硫前躯体的制备 | 第35页 |
| 2.1.3 PbS量子点的制备 | 第35-36页 |
| 2.1.4 PbS/CdS核壳量子点的制备 | 第36-37页 |
| 2.1.5 基于PbS/CdS核壳量子点的近红外发光二极管(IR-LED)的制备 | 第37页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第37-52页 |
| 2.2.1 PbS量子点的吸收,荧光和TEM图 | 第37-39页 |
| 2.2.2 油酸(OA)用量和不同铅源对PbS量子点合成的影响与分析 | 第39-41页 |
| 2.2.3 三辛氧磷(TOP)对PbS量子点合成的影响与分析 | 第41-45页 |
| 2.2.4 PbS量子点进行表面修饰的结果分析 | 第45-47页 |
| 2.2.5 PbS/CdS核壳量子点的吸收,荧光和TEM的分析 | 第47-48页 |
| 2.2.6 不同温度对CdS壳层生长的影响与分析 | 第48页 |
| 2.2.7 不同量子点PbS核对长壳的影响与分析 | 第48-51页 |
| 2.2.8 不同CdS壳层厚度对发光二极管得到的数据与分析 | 第51-52页 |
| 2.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 第三章 二氧化硅包裹三维PbSe自组装纳米颗粒及其有效的双稳态器件 | 第58-66页 |
| 3.1 实验部分 | 第58-60页 |
| 3.1.1 实验试剂与仪器 | 第58页 |
| 3.1.2 有机金属前躯体的制备 | 第58-59页 |
| 3.1.3 PbSe自组装纳米颗粒的制备 | 第59页 |
| 3.1.4 二氧化硅包裹PbSe自组装纳米颗粒的制备 | 第59页 |
| 3.1.5 基于二氧化硅包裹PbSe自组装纳米颗粒的双稳态器件的制备 | 第59-60页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第60-65页 |
| 3.2.1 PbSe自组装过程的TEM,SEM的结果与分析 | 第60页 |
| 3.2.2 TOP与TOPO不同的比例对PbSe自组装形状的影响与分析 | 第60-61页 |
| 3.2.3 铅前驱物不同热处理条件得到自组装NCs的SEM的结果与分析 | 第61-62页 |
| 3.2.4 TDPA替换OA得到PbSe自组装NCs的SEM的结果与分析 | 第62-63页 |
| 3.2.5 NH_3H_2O和TEOS的用量对SiO_2厚度增长的影响与分析 | 第63-64页 |
| 3.2.6 PbSe self-assembly NCs@SiO_2, PbSe self-assembly NCs, PbSe QDs, PbSeQD@SiO_2四种材料在相同的双稳态器件结构下的数据结果与分析 | 第64-65页 |
| 3.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 硕士期间发表的论文及完成的工作 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
