类铑金和钨离子双电子复合过程的理论研究
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 双电子复合研究的进展 | 第11-12页 |
| 1.3 双电子复合过程及物理图像 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的研究背景及意义 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 理论方法 | 第19-26页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 FAC程序包的简介 | 第19-20页 |
| 2.3 相对论组态相互作用方法 | 第20-22页 |
| 2.4 自电离速率 | 第22页 |
| 2.5 辐射跃迁速率 | 第22页 |
| 2.6 双电子复合截面和速率系数 | 第22-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 类铑金离子的DR过程 | 第26-36页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 4d、4p电子接近电离限附近的能级 | 第27-28页 |
| 3.3 激发通道 | 第28-29页 |
| 3.4 辐射通道 | 第29-30页 |
| 3.5 级联退激的影响 | 第30-31页 |
| 3.6 组态相互作用(CI)的影响 | 第31-32页 |
| 3.7 总的DR速率系数 | 第32页 |
| 3.8 DR速率、RR和TBR速率系数的比较 | 第32-33页 |
| 3.9 拟合速率系数 | 第33-34页 |
| 3.10 小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第四章 类铑钨离子的DR过程 | 第36-47页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 国内外关于W离子DR过程的研究现状 | 第36-37页 |
| 4.3 激发和辐射通道 | 第37-39页 |
| 4.4 级联退激的影响 | 第39-40页 |
| 4.5 能级 | 第40-41页 |
| 4.6 总DR速率系数 | 第41-42页 |
| 4.7 总DR速率系数的拟合 | 第42-43页 |
| 4.8 小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-50页 |
| 5.1 总结 | 第47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 附录I: 硕士学位期间发表论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
