| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 氧化锡薄膜性质 | 第13-15页 |
| 1.2.1 结构特性 | 第13页 |
| 1.2.2 光学特性 | 第13-14页 |
| 1.2.3 电学特性 | 第14-15页 |
| 1.3 氧化锡基薄膜的应用 | 第15-17页 |
| 1.3.1 透明导电薄膜 | 第15-16页 |
| 1.3.2 气敏传感器 | 第16页 |
| 1.3.3 平板显示 | 第16-17页 |
| 1.4 元素掺杂 | 第17-18页 |
| 1.5 氧化物薄膜晶体管结构和原理介绍 | 第18-20页 |
| 1.5.1 氧化物薄膜晶体管结构 | 第18-19页 |
| 1.5.2 氧化物薄膜晶体管原理 | 第19-20页 |
| 1.6 薄膜晶体管性能参数 | 第20-22页 |
| 1.6.1 迁移率 | 第20-21页 |
| 1.6.2 阈值电压和开启电压 | 第21-22页 |
| 1.6.3 亚阈值摆幅 | 第22页 |
| 1.6.4 电流开关比 | 第22页 |
| 1.7 本论文的研究目的和意义 | 第22-24页 |
| 第二章 制备技术和表征方法 | 第24-35页 |
| 2.1 制备技术 | 第24-28页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第24-26页 |
| 2.1.2 阳极氧化 | 第26-27页 |
| 2.1.3 等离子增强化学气相沉积 | 第27-28页 |
| 2.2 表征方法 | 第28-35页 |
| 2.2.1 薄膜厚度 | 第28页 |
| 2.2.2 薄膜结构和成分 | 第28-29页 |
| 2.2.3 薄膜表面形貌 | 第29-30页 |
| 2.2.4 薄膜光学性能 | 第30页 |
| 2.2.5 薄膜应力测试 | 第30-31页 |
| 2.2.6 薄膜电学性能 | 第31-34页 |
| 2.2.7 薄膜晶体管性能 | 第34-35页 |
| 第三章 掺硅氧化锡薄膜制备 | 第35-53页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 薄膜成分和工艺优化 | 第35-39页 |
| 3.2.1 硅掺杂含量优化 | 第35-36页 |
| 3.2.2 沉积工艺优化 | 第36-39页 |
| 3.3 结构和光学性能表征 | 第39-45页 |
| 3.3.1 物相分析 | 第39-40页 |
| 3.3.2 密度及粗糙度 | 第40-42页 |
| 3.3.3 光学性能 | 第42-44页 |
| 3.3.4 薄膜应力 | 第44-45页 |
| 3.4 半导体薄膜电学性能表征 | 第45-49页 |
| 3.4.1 霍尔效应表征 | 第45-47页 |
| 3.4.2 微波光电导衰退表征 | 第47页 |
| 3.4.3 X射线光电子能谱表征 | 第47-49页 |
| 3.5 半导体功函数表征 | 第49页 |
| 3.6 半导体薄膜抗酸性测试 | 第49-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 氧化锡基薄膜晶体管制备 | 第53-65页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 STO薄膜晶体管制备条件研究 | 第53-57页 |
| 4.2.1 不同硅含量对器件性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.2.2 有源层厚度对器件性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.2.3 不同退火温度对器件性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.3 背沟道刻蚀型STO-TFTS阵列制备及验证 | 第57-64页 |
| 4.3.1 不同退火温度对器件阵列性能的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.2 不同条件下器件阵列的稳定性 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士期间取得的主要研究成果 | 第74-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |