| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序言 | 第9-13页 |
| 1 引言 | 第13-24页 |
| 1.1 光伏产业发展现状 | 第13-19页 |
| 1.1.1 世界光伏产业现状 | 第13-15页 |
| 1.1.2 中国光伏产业现状 | 第15-19页 |
| 1.2 高效晶体硅太阳能电池技术 | 第19-22页 |
| 1.2.1 背电场电池(PERC)技术 | 第19-20页 |
| 1.2.2 背接触电池(IBC)技术 | 第20-21页 |
| 1.2.3 金属穿孔卷绕(MWT)技术 | 第21-22页 |
| 1.2.4 异质结(HIT)技术 | 第22页 |
| 1.3 本文的研究意义和研究内容 | 第22-24页 |
| 2 黑硅及黑硅太阳能电池 | 第24-45页 |
| 2.1 黑硅的发现和特性 | 第24-25页 |
| 2.2 黑硅的制备方法 | 第25-35页 |
| 2.2.1 飞秒激光刻蚀法 | 第26-29页 |
| 2.2.2 反应离子刻蚀 | 第29-31页 |
| 2.2.3 金属离子辅助刻蚀法 | 第31-35页 |
| 2.3 太阳能电池的工作原理 | 第35-36页 |
| 2.4 黑硅太阳能电池的制备流程 | 第36-45页 |
| 2.4.1 硅片清洗 | 第36-37页 |
| 2.4.2 扩散制PN结 | 第37-38页 |
| 2.4.3 湿法刻蚀 | 第38-39页 |
| 2.4.4 PECVD工序 | 第39-42页 |
| 2.4.5 丝网印刷与烧结工序 | 第42-43页 |
| 2.4.6 测试和分选工序 | 第43-45页 |
| 3 织构化结构对黑硅太阳能电池性能的影响 | 第45-61页 |
| 3.1 等离子体浸没离子注入系统 | 第45-46页 |
| 3.2 等离子体浸没离子注入法制备黑硅的原理 | 第46-47页 |
| 3.3 织构化结构深度对黑硅太阳能电池性能的影响 | 第47-55页 |
| 3.3.1 实验设计 | 第47-48页 |
| 3.3.2 不同注入条件下黑硅的表面形貌 | 第48-51页 |
| 3.3.3 结构深度对反射率的影响 | 第51-52页 |
| 3.3.4 结构深度对量子效率的影响 | 第52-53页 |
| 3.3.5 结构深度对电性能参数的影响 | 第53-55页 |
| 3.4 不同织构化衬底对太阳能电池性能的影响 | 第55-60页 |
| 3.4.1 实验设计 | 第55页 |
| 3.4.2 不同织构化衬底的反射率 | 第55-56页 |
| 3.4.3 不同织构化衬底太阳能电池的量子效率 | 第56-57页 |
| 3.4.4 不同织构化衬底太阳能电池的电性能参数 | 第57-59页 |
| 3.4.5 不同织构化衬底的硅片在各工序后的少子寿命 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 4 去损工艺的研究 | 第61-71页 |
| 4.1 实验原理 | 第61页 |
| 4.2 湿法去损条件的确定 | 第61-65页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 腐蚀时间对织构化结构的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.3 腐蚀液配比对织构化结构的影响 | 第63-65页 |
| 4.3 干、湿法去损对织构化结构的影响 | 第65-70页 |
| 4.3.1 实验设计 | 第65页 |
| 4.3.2 去损工艺对表面形貌的影响 | 第65-67页 |
| 4.3.3 去损工艺对方阻的影响 | 第67-68页 |
| 4.3.4 去损工艺对量子效率的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.5 去损工艺对电性能参数的影响 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 5 结论和下一步工作的建议 | 第71-73页 |
| 5.1 结论 | 第71页 |
| 5.2 下一步工作的建议 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第77-79页 |
| 学位论文数据集 | 第79页 |