| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 研究背景与意义 | 第11-13页 |
| 1.3 垂直结构LED的研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 垂直结构LED光萃取效率面临的问题 | 第13-15页 |
| 1.3.2 增加垂直结构LED光萃取效率的主要方法 | 第15-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 垂直结构LED制备工艺及相关设备 | 第21-31页 |
| 2.1 GaN基LED外延生长工艺 | 第21-22页 |
| 2.2 制备垂直结构LED的关键工艺 | 第22-26页 |
| 2.2.1 P型反射镜 | 第22-24页 |
| 2.2.2 电镀铜金属基板 | 第24-25页 |
| 2.2.3 激光剥离技术 | 第25-26页 |
| 2.3 GaN基垂直结构LED制备流程 | 第26-28页 |
| 2.4 测试分析设备 | 第28-30页 |
| 2.4.1 电致发光设备 | 第28-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.4.3 其他测试分析设备 | 第30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 复合工艺对垂直结构LED芯片光效的影响 | 第31-47页 |
| 3.1 引言 | 第31-33页 |
| 3.2 图形蓝宝石衬底和湿法腐蚀对LED外量子效率的影响 | 第33-40页 |
| 3.3 数值计算表面粗化对LED光效的影响 | 第40-45页 |
| 3.3.1 光萃取效率分布仿真 | 第41-42页 |
| 3.3.2 电流密度分布模拟 | 第42-45页 |
| 3.3.3 注入电流对光萃取效率的影响 | 第45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 垂直结构LED的KOH湿法腐蚀优化研究 | 第47-56页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 实验器件制备 | 第47-48页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第48-54页 |
| 4.3.1 湿法腐蚀对flat-VLED的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.2 湿法腐蚀对CPSS-VLED的影响 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 垂直结构LED的蒙特卡洛仿真 | 第56-68页 |
| 5.1 蒙特卡洛光线追迹仿真方法简介 | 第57-58页 |
| 5.2 仿真模型构建 | 第58-59页 |
| 5.3 模拟结果与讨论 | 第59-66页 |
| 5.3.1 GaN吸收系数和反射镜反射率对LEE的影响 | 第59-62页 |
| 5.3.2 不同周期性阵列对光萃取效率的影响 | 第62-65页 |
| 5.3.3 复合微结构对光萃取效率的影响 | 第65-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 总结与展望 | 第68-70页 |
| 课题总结 | 第68-69页 |
| 工作展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 附件 | 第80页 |
