高压快速软恢复二极管研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 软恢复二极管研究现状与意义 | 第10-14页 |
| 1.2 本文的主要工作与创新 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 高压功率二极管软关断原理 | 第16-23页 |
| 2.1 二极管软恢复关断原理 | 第16-17页 |
| 2.2 场电荷抽取二极管结构 | 第17-18页 |
| 2.3 工作机理 | 第18-20页 |
| 2.3.1 正向导通 | 第18页 |
| 2.3.2 阻断机理 | 第18-19页 |
| 2.3.3 反向恢复 | 第19-20页 |
| 2.4 相关性能参数 | 第20-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 场电荷抽取二极管特性分析与模拟 | 第23-40页 |
| 3.1 结构设计考虑 | 第23-28页 |
| 3.1.1 静态特性的设计 | 第23-26页 |
| 3.1.2 动态特性的设计 | 第26-28页 |
| 3.2 器件结构建模 | 第28-29页 |
| 3.3 器件通态特性分析 | 第29-31页 |
| 3.4 器件阻断特性分析 | 第31-33页 |
| 3.5 器件动态特性分析 | 第33-39页 |
| 3.5.1 器件开通特性 | 第33-35页 |
| 3.5.2 器件关断特性 | 第35-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 场电荷抽取二极管反向恢复特性进一步研究 | 第40-50页 |
| 4.1 温度的影响 | 第40-42页 |
| 4.2 高换向di/dt的影响 | 第42-46页 |
| 4.2.1 高换向di/dt与阶跃效应 | 第42-43页 |
| 4.2.2 高换向di/dt与关断损耗 | 第43-46页 |
| 4.3 关键参数对反向恢复特性的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.1 高度h对器件特性影响 | 第46-47页 |
| 4.3.2 轻掺杂区浓度对器件特性影响 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 场电荷抽取二极管工艺研究 | 第50-58页 |
| 5.1 工艺设计 | 第50-53页 |
| 5.1.1 设计考虑 | 第51-52页 |
| 5.1.2 工艺中的关键问题 | 第52-53页 |
| 5.2 工艺参数模拟 | 第53-55页 |
| 5.2.1 阴极P+ 部分和缓冲层N间的轻掺杂区 | 第53-54页 |
| 5.2.2 总杂质分布 | 第54-55页 |
| 5.3 工艺模拟结果验证 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
