| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 前言 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体氧化物气敏材料 | 第8-12页 |
| 1.2.1 气体传感器的性能指标 | 第8-9页 |
| 1.2.2 物理改性 | 第9-10页 |
| 1.2.3 化学改性 | 第10-12页 |
| 1.3 p-n型复合敏感材料 | 第12-13页 |
| 1.4 本文的研究意义及研究内容 | 第13-14页 |
| 2 静电纺丝法制备SnO_2和CuO复合材料的表征及其气敏特性 | 第14-29页 |
| 2.1 气敏元件的制作及测试系统介绍 | 第14-16页 |
| 2.1.1 气敏元件制作 | 第14页 |
| 2.1.2 静态测试系统 | 第14-16页 |
| 2.2 CuO-SnO_2复合材料的制备及表征 | 第16-24页 |
| 2.2.1 静电纺丝法制备不同比例的CuO-SnO_2复合材料 | 第16-18页 |
| 2.2.2 不同复合比例的CuO-SnO_2材料的表征 | 第18-24页 |
| 2.3 CuO-SnO_2复合材料气敏特性 | 第24-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 NiO和SnO_2复合材料的制备及气敏特性 | 第29-42页 |
| 3.1 静电纺丝法制备不同比例的NiO-SnO_2复合材料 | 第29-37页 |
| 3.2 不同复合比例的NiO-SnO_2材料的气敏特性 | 第37-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 不同p型材料的复合材料的特性比较 | 第42-46页 |
| 4.1 材料结构特性比较 | 第42-43页 |
| 4.2 材料气敏特性比较 | 第43-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 机理分析 | 第46-55页 |
| 5.1 气敏机理分析 | 第46-51页 |
| 5.1.1 p型及n型材料的气敏机理 | 第46-47页 |
| 5.1.2 p-n异质结复合材料的气敏机理 | 第47-51页 |
| 5.2 p-n型复合材料导电类型转变的原因分析 | 第51-54页 |
| 5.2.1 p型材料以及n型材料的产生原因 | 第51-53页 |
| 5.2.2 p型材料和n型材料复合后导电类型的变化 | 第53-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
