复合式宽带EMI抑制元件及材料
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 电磁干扰概述 | 第9-10页 |
1.1.1 电磁干扰的来源 | 第9-10页 |
1.1.2 电磁干扰的耦合途径 | 第10页 |
1.2 线缆的电磁干扰问题 | 第10-13页 |
1.2.1 线缆在电磁干扰中的作用 | 第10-11页 |
1.2.2 解决线缆电磁干扰问题的技术 | 第11-13页 |
1.3 铁氧体EMI 抑制元件的应用与研究动态 | 第13-16页 |
1.3.1 铁氧体 EMI 抑制元件的应用 | 第13-15页 |
1.3.2 铁氧体 EMI 抑制元件的研究动态 | 第15-16页 |
1.4 本论文研究目的与主要内容 | 第16-18页 |
1.4.1 研究目的 | 第16页 |
1.4.2 本文研究内容 | 第16-18页 |
第2章 材料电磁参数及抑制元件性能的测量方法 | 第18-31页 |
2.1 复数磁导率与阻抗测量 | 第18-25页 |
2.1.1 复数磁导率的物理含义 | 第18-19页 |
2.1.2 测量设备 | 第19-20页 |
2.1.3 测量原理 | 第20-25页 |
2.2 高低频性能表征方法确定 | 第25-26页 |
2.3 高频插损性能测试 | 第26-30页 |
2.3.1 测试原理 | 第26-28页 |
2.3.2 测试装置的建立 | 第28-29页 |
2.3.3 测试方法 | 第29-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 低频阻抗复合宽带模型分析与验证 | 第31-40页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 传统EMI 抑制元件的应用分析 | 第31-33页 |
3.2.1 元件应用等效电路 | 第31-32页 |
3.2.2 元件作用原理分析 | 第32-33页 |
3.3 低频阻抗复合模型 | 第33-35页 |
3.3.1 模型的提出 | 第33-34页 |
3.3.2 模型的结构 | 第34-35页 |
3.4 复合模型的验证 | 第35-38页 |
3.4.1 复合模型的等效电路 | 第35-36页 |
3.4.2 复合模型等效电路的验证 | 第36-38页 |
3.5 宽带元件对材料的要求 | 第38-39页 |
3.6 本章小结 | 第39-40页 |
第4章 高频高性能EMI 抑制材料的设计与制备 | 第40-49页 |
4.1 引言 | 第40页 |
4.2 高频EMI 抑制材料的设计 | 第40-41页 |
4.2.1 抑制材料的特性 | 第40页 |
4.2.2 限制软磁合金高频应用的因素及对策 | 第40-41页 |
4.3 SCM 的制备 | 第41-47页 |
4.3.1 SCM 制备工艺流程 | 第41-43页 |
4.3.2 气雾化制粉设备与原理 | 第43-44页 |
4.3.3 FeSiAl 雾化制粉 | 第44页 |
4.3.4 扁平粉末的制备方法 | 第44-46页 |
4.3.5 水玻璃基SCM 的制备 | 第46-47页 |
4.3.6 热处理 | 第47页 |
4.4 本章小结 | 第47-49页 |
第5章 复合材料的显微结构与性能分析 | 第49-62页 |
5.1 引言 | 第49页 |
5.2 雾化粉末的显微结构与磁导率特性 | 第49-52页 |
5.2.1 粉末合金成分 | 第49-50页 |
5.2.2 雾化粉末显微结构与磁导率特性 | 第50-52页 |
5.3 扁平化粉末微观形貌与磁导率特性 | 第52-54页 |
5.4 SCM 的磁导率特性 | 第54-58页 |
5.4.1 成型压力对磁导率的影响 | 第54-56页 |
5.4.2 退火对磁导率的影响 | 第56-58页 |
5.5 SCM 元件的插损性能 | 第58-61页 |
5.6 本章小结 | 第61-62页 |
第6章 高频插损复合宽带模型的分析与验证 | 第62-69页 |
6.1 引言 | 第62页 |
6.2 高频插损复合模型 | 第62-63页 |
6.2.1 模型的提出 | 第62-63页 |
6.2.2 模型结构 | 第63页 |
6.3 复合模型的验证 | 第63-68页 |
6.3.1 复合模型的等效电路 | 第63-66页 |
6.3.1 复合模型等效电路验证 | 第66-68页 |
6.4 本章小结 | 第68-69页 |
结论 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-75页 |
攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第75-76页 |
致谢 | 第76页 |