| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 热电材料 | 第11-16页 |
| 1.1.1 热电效应 | 第11-12页 |
| 1.1.2 热电材料的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.1.3 Mg_2Si 基热电材料的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.2 硅纳米线的概述 | 第16-17页 |
| 1.3 硅纳米线的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.4 纳米复合材料 | 第20-21页 |
| 1.5 课题研究的意义及内容 | 第21-23页 |
| 1.5.1 课题研究的意义 | 第21-22页 |
| 1.5.2 研究的主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验 | 第23-31页 |
| 2.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.2 实验流程 | 第23-24页 |
| 2.3 材料合成及制备过程 | 第24-27页 |
| 2.3.1 采用硝酸镍分解-氢还原法制备 Ni 包 Si 结构粉体 | 第24-25页 |
| 2.3.2 采用 MA 制备 Ni 包 Si 结构粉体 | 第25页 |
| 2.3.3 共晶析出反应 | 第25-26页 |
| 2.3.4 微波固相反应 | 第26-27页 |
| 2.3.5 FAPAS 烧结成型 | 第27页 |
| 2.4 材料的性能分析 | 第27-31页 |
| 2.4.1 产物物相分析 | 第27-28页 |
| 2.4.2 热电性能分析 | 第28-31页 |
| 第三章 采用硝酸镍分解-氢还原辅助共晶法制备自分散 SiNWs 粉体 | 第31-39页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验工艺参数 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与分析 | 第33-38页 |
| 3.3.1 Si-Ni 包覆粉体制备及表征 | 第33-34页 |
| 3.3.2 SiNWs 粉体制备及表征 | 第34-37页 |
| 3.3.3 SiNWs 粉体生长机制 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 采用 MA 辅助共晶法制备自分散 SiNWs 粉体 | 第39-47页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验工艺参数 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与分析 | 第40-45页 |
| 4.3.1 自分散 SiNWs 的生长模型 | 第40-41页 |
| 4.3.2 自分散 SiNWs 粉体的制备及表征 | 第41-45页 |
| 4.3.3 自分散 SiNWs 的生长机制 | 第45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 SiNWs-Mg_2Si 复合材料的制备及热电性能研究 | 第47-57页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 实验工艺参数 | 第47-49页 |
| 5.3 结果与分析 | 第49-55页 |
| 5.3.1 物相和显微结构分析 | 第49-50页 |
| 5.3.2 热电性能分析 | 第50-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 6.1 实验结论 | 第57-58页 |
| 6.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69页 |
