物理气相传输法制备碳化硅晶体的工艺研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 SiC晶体的结构 | 第10-11页 |
| 1.3 SiC晶体的生长方法及其发展 | 第11-16页 |
| 1.3.1 高温化学气相沉积法 | 第12页 |
| 1.3.2 溶液法 | 第12-13页 |
| 1.3.3 PVT法 | 第13-16页 |
| 1.4 物理气相传输法的主要问题 | 第16-17页 |
| 1.4.1 微管缺陷 | 第16-17页 |
| 1.4.2 包裹体缺陷 | 第17页 |
| 1.4.3 多型共生缺陷 | 第17页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 试验方案及表征方法 | 第19-26页 |
| 2.1 试验设备 | 第19-20页 |
| 2.1.1 PVT设备 | 第19-20页 |
| 2.1.2 其他设备和仪器 | 第20页 |
| 2.2 试验方案 | 第20-23页 |
| 2.2.1 SiC粉末的合成与提纯 | 第20-21页 |
| 2.2.2 自形核法生长SiC晶体 | 第21-22页 |
| 2.2.3 籽晶法SiC晶体的生长 | 第22-23页 |
| 2.2.4 表征样品的制备 | 第23页 |
| 2.3 表征方法 | 第23-26页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第24页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪 | 第24页 |
| 2.3.4 高分辨X射线衍射仪 | 第24-25页 |
| 2.3.5 显微共聚焦拉曼光谱仪 | 第25-26页 |
| 第3章 试验设备的调试及SiC粉末的制备 | 第26-32页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 PVT设备的调试 | 第26-28页 |
| 3.3 SiC粉末的制备 | 第28-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 PVT法晶体的生长工艺研究 | 第32-45页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 自形核法SiC晶体生长 | 第32-42页 |
| 4.2.1 石墨坩埚位置对晶体生长的影响 | 第32-34页 |
| 4.2.2 Ar气流量对晶体生长的影响 | 第34-36页 |
| 4.2.3 生长气压对晶体生长的影响 | 第36-37页 |
| 4.2.4 生长温度对晶体生长的影响 | 第37-42页 |
| 4.3 籽晶法SiC晶体生长 | 第42-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 晶体生长及结晶质量分析 | 第45-58页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 SiC晶体生长分析 | 第45-47页 |
| 5.3 缺陷分析 | 第47-51页 |
| 5.3.1 微管缺陷 | 第47-48页 |
| 5.3.2 包裹体缺陷 | 第48-49页 |
| 5.3.3 镶嵌缺陷 | 第49页 |
| 5.3.4 空洞缺陷 | 第49-50页 |
| 5.3.5 位错缺陷 | 第50-51页 |
| 5.4 晶体质量分析 | 第51-56页 |
| 5.4.1 拉曼光谱 | 第51-53页 |
| 5.4.2 X射线衍射 | 第53-54页 |
| 5.4.3 光致发光光谱 | 第54-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
