| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 波长可调谐半导体激光器的研究发展 | 第10-19页 |
| 1.2.1 可调谐半导体激光器的基本原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 分布反馈（DFB）激光器 | 第11-13页 |
| 1.2.3 外腔式可调谐激光器 | 第13-15页 |
| 1.2.4 VCSEL 可调谐激光器 | 第15页 |
| 1.2.5 单片集成大范围可调谐激光器 | 第15-18页 |
| 1.2.6 GaN 可调谐激光器 | 第18-19页 |
| 1.3 本文工作介绍 | 第19-21页 |
| 1.3.1 本文的工作 | 第19-20页 |
| 1.3.2 论文的主要创新之处 | 第20-21页 |
| 第二章 硅基 GaN 周期可调光栅的结构及制备原理 | 第21-32页 |
| 2.1 GaN 的基本性质 | 第21-23页 |
| 2.1.1 GaN 的晶体结构 | 第21页 |
| 2.1.2 GaN 的化学性质 | 第21-22页 |
| 2.1.3 GaN 的电学性质 | 第22页 |
| 2.1.4 GaN 的光学性质 | 第22-23页 |
| 2.2 硅基 GaN 周期可调光栅的结构原理 | 第23-28页 |
| 2.2.1 硅基 GaN 周期可调光栅的实现原理 | 第23-24页 |
| 2.2.2 MEMS 微驱动器的工作原理 | 第24-27页 |
| 2.2.3 硅基 GaN 周期可调光栅的结构设计 | 第27-28页 |
| 2.3 硅基 GaN 光栅的生长及制备 | 第28-31页 |
| 2.3.1 MOCVD 方法生长 GaN 的简单原理 | 第29-30页 |
| 2.3.2 MOCVD 方法生长 GaN 薄膜的典型过程 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 GaN 波长可调谐 DFB 激光器的设计 | 第32-42页 |
| 3.1 GaN 可调谐 DFB 激光器的基本理论 | 第32-37页 |
| 3.1.1 有限元法理论 | 第32-35页 |
| 3.1.2 耦合波理论 | 第35-36页 |
| 3.1.3 介质平板波导理论 | 第36-37页 |
| 3.2 硅基 GaN 波长可调谐 DFB 激光器的结构 | 第37-38页 |
| 3.3 COMSOL Multiphysics 仿真软件 | 第38-41页 |
| 3.3.1 COMSOL 软件简介 | 第38-39页 |
| 3.3.2 COMSOL 软件建模流程 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于 COMSOL 软件的数值仿真 | 第42-51页 |
| 4.1 基于 COMSOL 软件的硅基 GaN 周期可调光栅二维模型 | 第42-45页 |
| 4.2 基于 COMSOL 软件的波长可调谐 DFB 激光器二维模型 | 第45-50页 |
| 4.2.1 可见光波段数值分析 | 第47-49页 |
| 4.2.2 施加电压与变化波长的关系仿真模拟图 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-52页 |
| 5.1 论文总结 | 第51页 |
| 5.2 进一步的工作 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第55-56页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第56-57页 |
| 附录3 程序清单 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
