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可见光响应材料的制备与在环境中的应用

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-9页
第一章 绪论第9-23页
    1.1 BiVO_4简介第9-14页
        1.1.1 BiVO4光催化剂的结构及性质第9-10页
        1.1.2 BiVO4的制备方法第10-11页
        1.1.3 提高BiVO4光催化性能的方法第11-13页
            1.1.3.1 改变催化剂结构第11-12页
            1.1.3.2 催化剂组成的改性第12-13页
        1.1.4 BiVO4的应用第13-14页
    1.2 量子点的简介第14-21页
        1.2.1 量子点第14页
        1.2.2 量子点发光机制第14-15页
        1.2.3 量子点的荧光特性第15-16页
        1.2.4 量子点的合成第16-17页
        1.2.5 增强量子点荧光强度的方法第17-18页
            1.2.5.1 金属增强荧光作用第17页
            1.2.5.2 光子晶体增强荧光作用第17-18页
        1.2.6 量子点自组装第18页
        1.2.7 量子点自组装结合力第18-20页
        1.2.8 量子点的应用第20-21页
    1.3 本论文研究的目的与意义第21-23页
第二章 可见光下BiVO_4光催化降解RhB机理的研究第23-36页
    2.1 实验试剂与仪器第23-24页
        2.1.1 实验试剂与材料第23页
        2.1.2 实验仪器第23-24页
    2.2 实验内容第24-26页
        2.2.1 无孔BiVO4与多孔BiVO4的制备方法第24-25页
        2.2.2 无孔BiVO4多孔BiVO4降解RHB中间产物的测定第25页
        2.2.3 无孔BiVO4与多孔BiVO4的光催化实验过程第25-26页
    2.3 实验结果和讨论第26-35页
        2.3.1 光催化性能分析第26-28页
        2.3.2 紫外-可见图谱分析第28-29页
        2.3.3 中间产物分析第29-35页
    2.4 小结第35-36页
第三章 基于光子晶体CdTe量子点的制备及铜离子检测第36-50页
    3.1 实验试剂与仪器第36-37页
        3.1.1 实验试剂与材料第36页
        3.1.2 实验仪器第36-37页
    3.2 实验内容第37-39页
        3.2.1 基于光子晶体CdTe的制备第37-38页
        3.2.2 CdTe量子点的表征第38-39页
        3.2.3 检测铜离子实验过程第39页
    3.3 实验结果与讨论第39-49页
        3.3.1 扫描电镜(SEM)分析第39-40页
        3.3.2 透射电镜分析第40-41页
        3.3.3 紫外吸收与荧光光谱分析第41页
        3.3.4 紫外-可见漫反射分析第41-43页
        3.3.5 基于光子晶体CdTe与基于导电玻璃CdTe的光学分析第43-44页
        3.3.6 铜离子检测条件的选择第44-46页
        3.3.7 各体系对铜离子的检测第46-49页
    3.4 小结第49-50页
第四章 结论第50-51页
参考文献第51-54页
致谢第54页

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