摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-23页 |
1.1 课题背景 | 第10页 |
1.2 Al_2O_3陶瓷的特点 | 第10-11页 |
1.3 陶瓷和金属扩散连接研究现状 | 第11-15页 |
1.3.1 陶瓷/金属扩散连接界面孔洞消失机理分析和模拟 | 第11-14页 |
1.3.2 陶瓷/金属扩散连接工艺分析 | 第14-15页 |
1.3.3 陶瓷/金属扩散连接接头元素扩散和反应层形成 | 第15页 |
1.4 Al_2O_3陶瓷/金属扩散连接存在的问题 | 第15-16页 |
1.5 电场在物质传输过程中的电迁移效应 | 第16-18页 |
1.6 陶瓷和金属场助扩散连接研究现状 | 第18-21页 |
1.6.1 陶瓷和金属场助扩散连接工艺研究 | 第19-20页 |
1.6.2 陶瓷和金属场助扩散连接机理研究 | 第20-21页 |
1.7 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
第2章 试验材料与方法 | 第23-28页 |
2.1 试验材料 | 第23-24页 |
2.2 实验设备和工艺 | 第24-26页 |
2.2.1 实验设备 | 第24页 |
2.2.2 实验过程 | 第24-25页 |
2.2.3 实验工艺 | 第25-26页 |
2.3 性能测试及微观分析 | 第26-28页 |
2.3.1 力学性能测试 | 第26-27页 |
2.3.2 界面微观组织和结构分析 | 第27-28页 |
第3章 Al_2O_3陶瓷/Ti 直接扩散连接微观组织结构及力学性能分析 | 第28-43页 |
3.1 Al_2O_3陶瓷/Ti 直接扩散连接界面微观结构分析 | 第28-33页 |
3.2 工艺参数对 Al_2O_3陶瓷/Ti 直接扩散连接界面微观形貌和力学性能的影响 | 第33-39页 |
3.2.1 连接压力对 Al_2O_3陶瓷/Ti 接头变形和力学性能的影响 | 第33-34页 |
3.2.2 连接温度对 Al_2O_3陶瓷/Ti 界面微观形貌和力学性能的影响 | 第34-36页 |
3.2.3 连接时间对 Al_2O_3陶瓷/Ti 界面微观形貌和力学性能的影响 | 第36-39页 |
3.3 Al_2O_3陶瓷/Ti 直接扩散连接最佳工艺参数的确定 | 第39-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-43页 |
第4章 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面微观组织和力学性能 | 第43-63页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面微观结构分析 | 第43-46页 |
4.3 工艺参数对 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面微观形貌的影响 | 第46-51页 |
4.3.1 电压对 Al_2O_3陶瓷/Ti 界面微观形貌的影响 | 第46-48页 |
4.3.2 温度对 Al_2O_3陶瓷/Ti 界面微观形貌的影响 | 第48-50页 |
4.3.3 时间对 Al_2O_3陶瓷/Ti 界面微观形貌的影响 | 第50-51页 |
4.4 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接接头抗剪强度及断裂模式分析 | 第51-59页 |
4.4.1 电压对 Al_2O_3陶瓷/Ti 接头抗剪强度的影响 | 第51-53页 |
4.4.2 温度对 Al_2O_3陶瓷/Ti 接头抗剪强度的影响 | 第53-56页 |
4.4.3 时间对 Al_2O_3陶瓷/Ti 接头抗剪强度的影响 | 第56-59页 |
4.5 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面断裂机理分析 | 第59-62页 |
4.6 本章小结 | 第62-63页 |
第5章 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面形成机理 | 第63-77页 |
5.1 Al_2O_3陶瓷的分解、扩散和电离 | 第63页 |
5.2 界面扩散迁移机制 | 第63-67页 |
5.2.1 界面离子的扩散迁移 | 第63-65页 |
5.2.2 界面原子的电迁移扩散 | 第65-67页 |
5.3 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面连接的形成过程 | 第67-70页 |
5.3.1 物理接触阶段 | 第67页 |
5.3.2 接触表面的激活和极化 | 第67-68页 |
5.3.3 界面反应层的形成 | 第68-70页 |
5.4 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面反应热力学 | 第70-71页 |
5.5 Al_2O_3陶瓷/Ti 场助扩散连接界面反应动力学 | 第71-76页 |
5.5.1 扩散系数的计算 | 第71-74页 |
5.5.2 扩散激活能的计算 | 第74-76页 |
5.6 本章小结 | 第76-77页 |
结论 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第83-85页 |
致谢 | 第85页 |