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半导体异质结构中电子隧穿寿命的研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第8-11页
    §1.1 国内外研究概况第8-10页
    §1.2 主要研究内容与论文安排第10-11页
第二章 非对称双量子阱异质结构中电子的隧穿寿命第11-19页
    §2.1 理论模型与计算第11-15页
    §2.2 结果与讨论第15-17页
    §2.3 结论第17-19页
第三章 非对称双量子阱结构中电子的自旋极化隧穿研究第19-27页
    §3.1 理论模型与计算第19-21页
    §3.2 结果与讨论第21-26页
    §3.3 结论第26-27页
参考文献第27-30页
致谢第30-31页
攻读硕士学位期间完成的文章第31页

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