| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 太赫兹科学技术简介 | 第17-18页 |
| 1.2 太赫兹科学技术的应用及应用前景 | 第18-19页 |
| 1.3 常见的太赫兹脉冲产生源 | 第19-21页 |
| 1.4 太赫兹技术的发展现状 | 第21-22页 |
| 1.5 IMPATT在太赫兹中的重要性 | 第22-23页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 GaN基IMPATT二极管简介及其工艺现状 | 第25-37页 |
| 2.1 IMPATT二极管的概念和分类 | 第25页 |
| 2.2 IMPATT二极管的工作特性 | 第25-33页 |
| 2.2.1 击穿电压 | 第26-28页 |
| 2.2.2 雪崩区和漂移区 | 第28-31页 |
| 2.2.3 温度和空间电荷效应 | 第31-33页 |
| 2.3 GaN材料的主要应用及特点 | 第33-35页 |
| 2.4 GaN基IMPATT二极管的优势 | 第35-37页 |
| 第三章 模型的比较以及GaN IMPATT二极管直流仿真研究 | 第37-57页 |
| 3.1 器件模拟的概述 | 第37页 |
| 3.2 几个常见器件仿真模型的介绍与比较 | 第37-42页 |
| 3.2.1 漂移扩散模型（DDM） | 第38-39页 |
| 3.2.2 流体动力学模型（HDM） | 第39-40页 |
| 3.2.3 能量平衡模型（EBM） | 第40-42页 |
| 3.3 IMPATT二极管的设计 | 第42-52页 |
| 3.3.1 IMPATT的大信号分析 | 第42-43页 |
| 3.3.2 低掺杂单漂移区GaN基IMPATT二极管的结构设计以及仿真分析 | 第43-49页 |
| 3.3.3 高掺杂单漂移区GaN基IMPATT二极管的结构设计及仿真分析 | 第49-52页 |
| 3.4 两种掺杂浓度的二极管特性的比较 | 第52-55页 |
| 3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 基于能量平衡模型的GaN基IMPATT交流特性研究 | 第57-69页 |
| 4.1 IMPATT电路仿真平台—Mixed-mode | 第57-58页 |
| 4.2 基于漂移扩散模型的GaN基的单漂移IMPATT特性研究 | 第58-62页 |
| 4.2.1 GaN基的单漂移IMPATT二极管的谐振 | 第58-59页 |
| 4.2.2 GaN基的单漂移IMPATT二极管的交流特性 | 第59-62页 |
| 4.3 基于能量平衡模型的GaN基的单漂移IMPATT特性研究 | 第62-67页 |
| 4.3.1 EBM模型下GaN基的单漂移IMPATT二极管的谐振 | 第62页 |
| 4.3.2 迁移率模型的选取 | 第62-63页 |
| 4.3.3 碰撞电离模型的选取 | 第63-64页 |
| 4.3.4 二极管的交流特性 | 第64-67页 |
| 4.4 IMPATT二极管交流输出特性的计算 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
| 基本情况 | 第75页 |
| 教育背景 | 第75页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第75-76页 |
