摘要 | 第2-4页 |
Abstract | 第4-6页 |
目录 | 第7-12页 |
第一章 文献综述 | 第12-34页 |
1.1 纳米碳管的发现以及结构特征 | 第12-14页 |
1.1.1 纳米碳管的发现 | 第12-13页 |
1.1.2 纳米碳管的结构特征 | 第13-14页 |
1.2 纳米碳管的制备 | 第14-20页 |
1.2.1 电弧放电法 | 第14-16页 |
1.2.2 化学气相沉积法 | 第16-19页 |
1.2.3 激光蒸发法 | 第19-20页 |
1.2.4 其他方法 | 第20页 |
1.3 纳米碳管的性能研究以及应用前景 | 第20-31页 |
1.3.1 纳米碳管在场发射方面应用前景 | 第21-23页 |
1.3.2 纳米碳管在纳米电子器件方面的应用前景 | 第23-24页 |
1.3.3 纳米碳管在电脑芯片方面的应用前景 | 第24-26页 |
1.3.4 纳米碳管在复合材料方面的应用前景 | 第26-27页 |
1.3.5 纳米碳管在储能方面的应用前景 | 第27-30页 |
1.3.5.1 纳米碳管在储氢方面的应用 | 第27-28页 |
1.3.5.2 纳米碳管在储锂方面的应用前景 | 第28-29页 |
1.3.5.3 纳米碳管在双层电容器方面的应用前景 | 第29-30页 |
1.3.6 纳米碳管在其它方面的应用前景 | 第30-31页 |
参考文献 | 第31-34页 |
第二章 化学气相沉积法制备纳米碳管的研究 | 第34-59页 |
2.1 利用共沉积法合成的催化剂制备纳米碳管的研究 | 第35-39页 |
2.1.1 实验条件 | 第35-36页 |
2.1.2 结果与讨论 | 第36-39页 |
2.1.3 结论 | 第39页 |
2.2 利用溶胶凝胶法合成的催化剂制备纳米碳管的研究 | 第39-42页 |
2.2.1 实验条件 | 第39-40页 |
2.2.2 结果与讨论 | 第40-42页 |
2.2.3 结论 | 第42页 |
2.3 利用Fe/BSA-15为催化剂制备纳米碳管的研究 | 第42-48页 |
2.3.1 实验条件 | 第43-44页 |
2.3.1.1 介孔分子筛Fe/SBA-15的制备 | 第43页 |
2.3.1.2 多壁纳米碳管的制备 | 第43页 |
2.3.1.3 纳米碳管及Fe/SBA-15介孔分子筛的观察、表征 | 第43-44页 |
2.3.2 结果与讨论 | 第44-48页 |
2.3.2.1 介孔分子筛Fe/SBA-15的形貌及表征 | 第44-45页 |
2.3.2.2 纳米碳管的形貌及表征 | 第45-46页 |
2.3.2.3 纳米碳管的扫描电子显微镜的表征 | 第46-48页 |
2.3.3 结论 | 第48页 |
2.4 以Si为模板制备纳米碳管薄膜的研究 | 第48-52页 |
2.4.1 实验条件 | 第49页 |
2.4.2 结果与讨论 | 第49-51页 |
2.4.3 结论 | 第51-52页 |
2.5 单壁纳米碳管的制备研究 | 第52-57页 |
2.5.1 实验条件 | 第53页 |
2.5.2 结果与讨论 | 第53-56页 |
2.5.3 结论 | 第56-57页 |
2.6 结论 | 第57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第三章 电弧放电法制备单壁纳米碳管以及纯化的研究 | 第59-72页 |
3.1 成角度放电制备单壁纳米碳管的研究 | 第59-62页 |
3.1.1 实验条件及工艺 | 第59-60页 |
3.1.2 结果与讨论 | 第60-62页 |
3.1.3 结论 | 第62页 |
3.2 连续循环电弧放电法制备单壁纳米碳管的研究 | 第62-65页 |
3.2.1 实验过程 | 第62-63页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第63-65页 |
3.2.3 实验结论 | 第65页 |
3.3 电弧法制备的单壁纳米碳管的纯化研究 | 第65-70页 |
3.3.1 实验条件 | 第66-67页 |
3.3.1.1 单壁纳米碳管的制备 | 第66页 |
3.3.1.2 单壁纳米碳管的纯化 | 第66-67页 |
3.3.1.3 单壁纳米碳管的表征 | 第67页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第67-69页 |
3.3.2.1 单壁纳米碳管纯化的HRTEM表征 | 第67-68页 |
3.3.2.2 单壁纳米碳管纯化的TGA表征 | 第68页 |
3.3.2.3 单壁纳米碳管纯化的Raman光谱表征 | 第68-69页 |
3.3.3 结论 | 第69-70页 |
3.4 结论 | 第70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
第四章 纳米碳管复合材料的制备以及性能研究 | 第72-85页 |
4.1 纳米碳管环氧树脂复合材料的制备以及性能研究 | 第73-77页 |
4.1.1 实验及工艺条件 | 第73-74页 |
4.1.2 结果与讨论 | 第74-77页 |
4.1.3 结论 | 第77页 |
4.2 纳米碳管-(Ni-P)复合材料的制备以及性能研究 | 第77-83页 |
4.2.1 实验及工艺条件 | 第77-79页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第79-82页 |
4.2.3 结论 | 第82-83页 |
4.3 结论 | 第83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
第五章 纳米碳管场发射性能的计算与模拟 | 第85-110页 |
5.1 利用镜像电荷法对纳米碳管场发射性能的计算 | 第86-98页 |
5.1.1 镜像悬浮球模型的建立 | 第87-88页 |
5.1.2 不考虑极板间距影响的纳米碳管场发射增强因子的计算 | 第88-91页 |
5.1.2.1 单根纳米碳管场增强因子的镜像电荷计算 | 第88-89页 |
5.1.2.2 纳米碳管阵列场增强因子的镜像电荷计算 | 第89-91页 |
5.1.3 考虑极板间距影响时纳米碳管场发射性能的镜像计算 | 第91-94页 |
5.1.3.1 单根纳米碳管的场发射性能的计算 | 第91-93页 |
5.1.3.2 纳米碳管阵列的场发射性能的计算 | 第93-94页 |
5.1.4 结果与讨论 | 第94-97页 |
5.1.4.1 单根纳米碳管及纳米碳管阵列场发射的影响因素 | 第94-96页 |
5.1.4.2 极板间距对单根纳米碳管以及纳米碳管阵列的场发射性能的影响 | 第96-97页 |
5.1.5 结论 | 第97-98页 |
5.2 纳米碳管作为场发射体的场发射性能的计算机数值模拟 | 第98-108页 |
5.2.1 利用ANSYS软件对单根纳米碳管的场发射增强因子的模拟数值计算 | 第98-100页 |
5.2.1.1 ANSYS简介以及操作步骤 | 第98-99页 |
5.2.1.2 ANSYS计算结果与分析 | 第99-100页 |
5.2.2 有限元差分法对纳米碳管阵列场发射行为的数值模拟计算 | 第100-107页 |
5.2.2.1 有限差分方法简介 | 第100-102页 |
5.2.2.1.1 有限元差分方程的确立 | 第100-102页 |
5.2.2.1.1a. 变步长差分方程 | 第101-102页 |
5.2.2.1.1b. 等步长有限差分方程 | 第102页 |
5.2.2.2 问题的求解 | 第102页 |
边界条件 | 第102页 |
迭代求解 | 第102页 |
5.2.2.3 模型的建立以及边界条件的确立 | 第102-103页 |
5.2.2.4 结果与讨论 | 第103-107页 |
5.2.2.4.1 碳管阵列间距对纳米碳管阵列场发射性能的影响 | 第104-105页 |
5.2.2.4.2 极板间距对纳米碳管阵列场发射增强因子的影响 | 第105-106页 |
5.2.2.4.3 封口纳米碳管阵列与开口纳米碳管阵列的空间电势分布 | 第106-107页 |
5.2.3 结论 | 第107-108页 |
5.3 结论 | 第108页 |
参考文献 | 第108-110页 |
致谢 | 第110-111页 |
发表文章 | 第111-112页 |