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纳米碳管的制备、复合材料以及场增强因子的研究

摘要第2-4页
Abstract第4-6页
目录第7-12页
第一章 文献综述第12-34页
    1.1 纳米碳管的发现以及结构特征第12-14页
        1.1.1 纳米碳管的发现第12-13页
        1.1.2 纳米碳管的结构特征第13-14页
    1.2 纳米碳管的制备第14-20页
        1.2.1 电弧放电法第14-16页
        1.2.2 化学气相沉积法第16-19页
        1.2.3 激光蒸发法第19-20页
        1.2.4 其他方法第20页
    1.3 纳米碳管的性能研究以及应用前景第20-31页
        1.3.1 纳米碳管在场发射方面应用前景第21-23页
        1.3.2 纳米碳管在纳米电子器件方面的应用前景第23-24页
        1.3.3 纳米碳管在电脑芯片方面的应用前景第24-26页
        1.3.4 纳米碳管在复合材料方面的应用前景第26-27页
        1.3.5 纳米碳管在储能方面的应用前景第27-30页
            1.3.5.1 纳米碳管在储氢方面的应用第27-28页
            1.3.5.2 纳米碳管在储锂方面的应用前景第28-29页
            1.3.5.3 纳米碳管在双层电容器方面的应用前景第29-30页
        1.3.6 纳米碳管在其它方面的应用前景第30-31页
    参考文献第31-34页
第二章 化学气相沉积法制备纳米碳管的研究第34-59页
    2.1 利用共沉积法合成的催化剂制备纳米碳管的研究第35-39页
        2.1.1 实验条件第35-36页
        2.1.2 结果与讨论第36-39页
        2.1.3 结论第39页
    2.2 利用溶胶凝胶法合成的催化剂制备纳米碳管的研究第39-42页
        2.2.1 实验条件第39-40页
        2.2.2 结果与讨论第40-42页
        2.2.3 结论第42页
    2.3 利用Fe/BSA-15为催化剂制备纳米碳管的研究第42-48页
        2.3.1 实验条件第43-44页
            2.3.1.1 介孔分子筛Fe/SBA-15的制备第43页
            2.3.1.2 多壁纳米碳管的制备第43页
            2.3.1.3 纳米碳管及Fe/SBA-15介孔分子筛的观察、表征第43-44页
        2.3.2 结果与讨论第44-48页
            2.3.2.1 介孔分子筛Fe/SBA-15的形貌及表征第44-45页
            2.3.2.2 纳米碳管的形貌及表征第45-46页
            2.3.2.3 纳米碳管的扫描电子显微镜的表征第46-48页
        2.3.3 结论第48页
    2.4 以Si为模板制备纳米碳管薄膜的研究第48-52页
        2.4.1 实验条件第49页
        2.4.2 结果与讨论第49-51页
        2.4.3 结论第51-52页
    2.5 单壁纳米碳管的制备研究第52-57页
        2.5.1 实验条件第53页
        2.5.2 结果与讨论第53-56页
        2.5.3 结论第56-57页
    2.6 结论第57页
    参考文献第57-59页
第三章 电弧放电法制备单壁纳米碳管以及纯化的研究第59-72页
    3.1 成角度放电制备单壁纳米碳管的研究第59-62页
        3.1.1 实验条件及工艺第59-60页
        3.1.2 结果与讨论第60-62页
        3.1.3 结论第62页
    3.2 连续循环电弧放电法制备单壁纳米碳管的研究第62-65页
        3.2.1 实验过程第62-63页
        3.2.2 结果与讨论第63-65页
        3.2.3 实验结论第65页
    3.3 电弧法制备的单壁纳米碳管的纯化研究第65-70页
        3.3.1 实验条件第66-67页
            3.3.1.1 单壁纳米碳管的制备第66页
            3.3.1.2 单壁纳米碳管的纯化第66-67页
            3.3.1.3 单壁纳米碳管的表征第67页
        3.3.2 结果与讨论第67-69页
            3.3.2.1 单壁纳米碳管纯化的HRTEM表征第67-68页
            3.3.2.2 单壁纳米碳管纯化的TGA表征第68页
            3.3.2.3 单壁纳米碳管纯化的Raman光谱表征第68-69页
        3.3.3 结论第69-70页
    3.4 结论第70页
    参考文献第70-72页
第四章 纳米碳管复合材料的制备以及性能研究第72-85页
    4.1 纳米碳管环氧树脂复合材料的制备以及性能研究第73-77页
        4.1.1 实验及工艺条件第73-74页
        4.1.2 结果与讨论第74-77页
        4.1.3 结论第77页
    4.2 纳米碳管-(Ni-P)复合材料的制备以及性能研究第77-83页
        4.2.1 实验及工艺条件第77-79页
        4.2.2 结果与讨论第79-82页
        4.2.3 结论第82-83页
    4.3 结论第83页
    参考文献第83-85页
第五章 纳米碳管场发射性能的计算与模拟第85-110页
    5.1 利用镜像电荷法对纳米碳管场发射性能的计算第86-98页
        5.1.1 镜像悬浮球模型的建立第87-88页
        5.1.2 不考虑极板间距影响的纳米碳管场发射增强因子的计算第88-91页
            5.1.2.1 单根纳米碳管场增强因子的镜像电荷计算第88-89页
            5.1.2.2 纳米碳管阵列场增强因子的镜像电荷计算第89-91页
        5.1.3 考虑极板间距影响时纳米碳管场发射性能的镜像计算第91-94页
            5.1.3.1 单根纳米碳管的场发射性能的计算第91-93页
            5.1.3.2 纳米碳管阵列的场发射性能的计算第93-94页
        5.1.4 结果与讨论第94-97页
            5.1.4.1 单根纳米碳管及纳米碳管阵列场发射的影响因素第94-96页
            5.1.4.2 极板间距对单根纳米碳管以及纳米碳管阵列的场发射性能的影响第96-97页
        5.1.5 结论第97-98页
    5.2 纳米碳管作为场发射体的场发射性能的计算机数值模拟第98-108页
        5.2.1 利用ANSYS软件对单根纳米碳管的场发射增强因子的模拟数值计算第98-100页
            5.2.1.1 ANSYS简介以及操作步骤第98-99页
            5.2.1.2 ANSYS计算结果与分析第99-100页
        5.2.2 有限元差分法对纳米碳管阵列场发射行为的数值模拟计算第100-107页
            5.2.2.1 有限差分方法简介第100-102页
                5.2.2.1.1 有限元差分方程的确立第100-102页
                    5.2.2.1.1a. 变步长差分方程第101-102页
                    5.2.2.1.1b. 等步长有限差分方程第102页
            5.2.2.2 问题的求解第102页
                边界条件第102页
                迭代求解第102页
            5.2.2.3 模型的建立以及边界条件的确立第102-103页
            5.2.2.4 结果与讨论第103-107页
                5.2.2.4.1 碳管阵列间距对纳米碳管阵列场发射性能的影响第104-105页
                5.2.2.4.2 极板间距对纳米碳管阵列场发射增强因子的影响第105-106页
                5.2.2.4.3 封口纳米碳管阵列与开口纳米碳管阵列的空间电势分布第106-107页
        5.2.3 结论第107-108页
    5.3 结论第108页
    参考文献第108-110页
致谢第110-111页
发表文章第111-112页

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