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等离子体显示板介质保护层材料表面结构研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第8-14页
    1.1. 等离子体显示第8-10页
        1.1.1. 等离子体显示器发展史第8页
        1.1.2. 表面放电式ACPDP第8-9页
        1.1.3. 等离子体显示的特点第9-10页
    1.2. 介质保护层材料第10-11页
        1.2.1. 介质保护层作用第10-11页
        1.2.2. 介质保护层材料技术要求第11页
    1.3. 国内外研究现状第11-13页
    1.4. 论文主要结构和目的第13-14页
第二章 理论基础第14-22页
    2.1. 密度泛函理论(density function theory,DFT)第14-16页
        2.1.1. Hohenberg-Kohn定理(H-K定理)第14页
        2.1.2. Kohn-Sham方程第14-15页
        2.1.3. 交换关联泛函第15页
        2.1.4. 赝势方法第15-16页
    2.2. 计算软件简介第16页
    2.3. 二次电子发射机制第16-20页
    2.4. 激子光谱第20-22页
第三章 理想MgO表面的第一性原理研究第22-30页
    3.1. 引言第22页
    3.2. 理想MgO表面电子结构计算和分析第22-26页
        3.2.1. 计算模型和方法第22-24页
        3.2.2. 理想MgO表面的态密度图及分析第24-25页
        3.2.3. 二次电子发射系数计算第25-26页
    3.3. 激子光谱计算第26-29页
        3.3.1. 计算方法第26页
        3.3.2. 激子光谱分析第26-29页
    3.4. 本章小结第29-30页
第四章 MgO表面空缺研究第30-38页
    4.1. 引言第30页
    4.2. 表面空缺电子结构计算和分析第30-37页
        4.2.1. 模型建立第30-32页
        4.2.2. 态密度图及分析第32-36页
        4.2.3. 二次电子发射系数计算第36-37页
    4.3. 本章小结第37-38页
第五章 MgO表面掺杂研究第38-50页
    5.1. 引言第38页
    5.2. MgO表面掺Ca研究第38-44页
        5.2.1. 模型建立第38-40页
        5.2.2. 态密度图及分析第40-41页
        5.2.3. 二次电子发射系数计算第41-42页
        5.2.4. 放电过程模拟第42-44页
    5.3. MgO表面掺Sr、Zn研究第44-48页
        5.3.1. 模型建立第44-45页
        5.3.2. 态密度图及分析第45-46页
        5.3.3. 二次电子发射系数计算第46-47页
        5.3.4. 放电过程模拟第47-48页
    5.4. 本章小结第48-50页
第六章 双层结构研究第50-54页
    6.1. 引言第50页
    6.2. 简单双层结构研究第50-52页
        6.2.1. 模型建立第50-51页
        6.2.2. 态密度图及分析第51-52页
    6.3. 本章小结第52-54页
第七章 总结与展望第54-58页
    7.1. 总结第54-55页
    7.2. 展望第55-58页
致谢第58-60页
参考文献第60-64页
作者简介第64页

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