摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
1.1. 等离子体显示 | 第8-10页 |
1.1.1. 等离子体显示器发展史 | 第8页 |
1.1.2. 表面放电式ACPDP | 第8-9页 |
1.1.3. 等离子体显示的特点 | 第9-10页 |
1.2. 介质保护层材料 | 第10-11页 |
1.2.1. 介质保护层作用 | 第10-11页 |
1.2.2. 介质保护层材料技术要求 | 第11页 |
1.3. 国内外研究现状 | 第11-13页 |
1.4. 论文主要结构和目的 | 第13-14页 |
第二章 理论基础 | 第14-22页 |
2.1. 密度泛函理论(density function theory,DFT) | 第14-16页 |
2.1.1. Hohenberg-Kohn定理(H-K定理) | 第14页 |
2.1.2. Kohn-Sham方程 | 第14-15页 |
2.1.3. 交换关联泛函 | 第15页 |
2.1.4. 赝势方法 | 第15-16页 |
2.2. 计算软件简介 | 第16页 |
2.3. 二次电子发射机制 | 第16-20页 |
2.4. 激子光谱 | 第20-22页 |
第三章 理想MgO表面的第一性原理研究 | 第22-30页 |
3.1. 引言 | 第22页 |
3.2. 理想MgO表面电子结构计算和分析 | 第22-26页 |
3.2.1. 计算模型和方法 | 第22-24页 |
3.2.2. 理想MgO表面的态密度图及分析 | 第24-25页 |
3.2.3. 二次电子发射系数计算 | 第25-26页 |
3.3. 激子光谱计算 | 第26-29页 |
3.3.1. 计算方法 | 第26页 |
3.3.2. 激子光谱分析 | 第26-29页 |
3.4. 本章小结 | 第29-30页 |
第四章 MgO表面空缺研究 | 第30-38页 |
4.1. 引言 | 第30页 |
4.2. 表面空缺电子结构计算和分析 | 第30-37页 |
4.2.1. 模型建立 | 第30-32页 |
4.2.2. 态密度图及分析 | 第32-36页 |
4.2.3. 二次电子发射系数计算 | 第36-37页 |
4.3. 本章小结 | 第37-38页 |
第五章 MgO表面掺杂研究 | 第38-50页 |
5.1. 引言 | 第38页 |
5.2. MgO表面掺Ca研究 | 第38-44页 |
5.2.1. 模型建立 | 第38-40页 |
5.2.2. 态密度图及分析 | 第40-41页 |
5.2.3. 二次电子发射系数计算 | 第41-42页 |
5.2.4. 放电过程模拟 | 第42-44页 |
5.3. MgO表面掺Sr、Zn研究 | 第44-48页 |
5.3.1. 模型建立 | 第44-45页 |
5.3.2. 态密度图及分析 | 第45-46页 |
5.3.3. 二次电子发射系数计算 | 第46-47页 |
5.3.4. 放电过程模拟 | 第47-48页 |
5.4. 本章小结 | 第48-50页 |
第六章 双层结构研究 | 第50-54页 |
6.1. 引言 | 第50页 |
6.2. 简单双层结构研究 | 第50-52页 |
6.2.1. 模型建立 | 第50-51页 |
6.2.2. 态密度图及分析 | 第51-52页 |
6.3. 本章小结 | 第52-54页 |
第七章 总结与展望 | 第54-58页 |
7.1. 总结 | 第54-55页 |
7.2. 展望 | 第55-58页 |
致谢 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
作者简介 | 第64页 |