| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号缩写表 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-37页 |
| 1.1 表面及表面吸附 | 第12-13页 |
| 1.2 表面吸附的研究内容 | 第13页 |
| 1.3 Si/Ge半导体表面 | 第13-18页 |
| 1.3.1 Si/Ge(100)-2×1 面 | 第14-17页 |
| 1.3.2 Si(111)面 | 第17-18页 |
| 1.4 Si/Ge表面化学最新的研究进展 | 第18-28页 |
| 1.4.1 Si/Ge(100)面解离产物的表示法 | 第18-19页 |
| 1.4.2 Si/Ge(100)面不同的化学活性 | 第19-20页 |
| 1.4.3 Si(100)面C-型缺陷 | 第20-21页 |
| 1.4.4 Si(100)面自组装生长 | 第21-24页 |
| 1.4.5 Si(100)面二聚体跳跃对分子吸附和解离的影响 | 第24-26页 |
| 1.4.6 [2+2]环加成反应 | 第26-27页 |
| 1.4.7 分子长距离迁移机制的研究 | 第27-28页 |
| 1.5 氢键对表面吸附的影响 | 第28-35页 |
| 1.5.1 氢键 | 第28-30页 |
| 1.5.2 金属表面氢键对吸附的影响 | 第30-32页 |
| 1.5.3 半导体表面氢键对吸附的影响 | 第32-35页 |
| 1.6 论文的研究内容和意义 | 第35-37页 |
| 第二章 研究方法 | 第37-42页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第37-38页 |
| 2.2 范德华力修正 | 第38页 |
| 2.3 过渡态理论 | 第38-42页 |
| 2.3.1 势能面 | 第38-39页 |
| 2.3.2 速率常数的热力学表达式 | 第39-41页 |
| 2.3.3 CI-NEB方法 | 第41-42页 |
| 第三章 水在Si(100)-2×1 表面的吸附和解离 | 第42-53页 |
| 3.1 研究背景简介 | 第42-43页 |
| 3.2 计算细节及模型 | 第43-44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-52页 |
| 3.3.1 单个H_2O分子的吸附 | 第44-46页 |
| 3.3.2 单个H_2O分子的解离 | 第46-47页 |
| 3.3.3 H_2O团簇的形成 | 第47-49页 |
| 3.3.4 氢键增强效应 | 第49-50页 |
| 3.3.5 H_2O团簇的解离 | 第50-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 极性分子在Si/Ge(100)-2×1 表面的吸附 | 第53-68页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第53-54页 |
| 4.2 计算细节及模型 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-67页 |
| 4.3.1 单分子吸附 | 第55-59页 |
| 4.3.2 不同氢键组合的吸附 | 第59-63页 |
| 4.3.3 低温下Ge(100)面水的解离 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 H_2O和NH_3分子在硅烯上的吸附机理 | 第68-88页 |
| 5.1 硅烯(silicene) | 第68-70页 |
| 5.2 计算细节和模型 | 第70-71页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第71-87页 |
| 5.3.1 单个H_2O和NH_3分子在硅烯上的吸附 | 第71-74页 |
| 5.3.2 硅烯和Si(100)-2×1 面 | 第74-75页 |
| 5.3.3 协同效应：氢键和配位作用 | 第75-78页 |
| 5.3.4 H_2O和NH_3分子吸附机理 | 第78-81页 |
| 5.3.5 Pauli排斥的验证 | 第81-84页 |
| 5.3.6 H_2O和NH_3在硅烯上的解离 | 第84-87页 |
| 5.4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 苯醌分散过渡金属及储氢性质的研究 | 第88-101页 |
| 6.1 研究背景简介 | 第88-89页 |
| 6.2 计算细节和方法 | 第89-90页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第90-100页 |
| 6.3.1 苯醌的结构特点 | 第90-91页 |
| 6.3.2 TM和OBQ的相互作用 | 第91-95页 |
| 6.3.3 OBQ-Sc络合物的储氢性质 | 第95-96页 |
| 6.3.4 储氢材料的设计 | 第96-100页 |
| 6.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 总结和展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-116页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 附件 | 第118页 |
