| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 SiC MOSFET的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET的器件研发 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的主要研究工作 | 第14-16页 |
| 第2章 SiC MOSFET器件特性研究 | 第16-30页 |
| 2.1 SiC MOSFET基本结构和工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 SiC MOSFET的静态特性 | 第17-22页 |
| 2.2.1 导通电阻 | 第17-19页 |
| 2.2.2 栅极阈值电压 | 第19-20页 |
| 2.2.3 寄生电容 | 第20-22页 |
| 2.3 SiC MOSFET的动态特性 | 第22-26页 |
| 2.3.1 双脉冲实验原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 开关速度 | 第23-24页 |
| 2.3.3 开关损耗 | 第24-26页 |
| 2.4 SiC MOSFET体二极管反向恢复特性 | 第26-29页 |
| 2.4.1 改变正向导通电流 | 第27页 |
| 2.4.2 反向恢复特性对比 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 SiC MOSFET驱动电路设计 | 第30-44页 |
| 3.1 驱动电路的基本要求 | 第30-32页 |
| 3.2 驱动电路设计 | 第32-39页 |
| 3.2.1 隔离方式选择 | 第32-33页 |
| 3.2.2 可靠性设计 | 第33-35页 |
| 3.2.3 驱动芯片选择与电路设计 | 第35-37页 |
| 3.2.4 保护电路设计 | 第37-39页 |
| 3.3 驱动电路实验 | 第39-43页 |
| 3.3.1 双脉冲实验 | 第39-42页 |
| 3.3.2 高温可靠性实验 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 基于SiC MOSFET的高频感应加热电源设计 | 第44-57页 |
| 4.1 整流器的拓扑结构及参数整定 | 第44-46页 |
| 4.1.1 整流器的拓扑结构 | 第44-45页 |
| 4.1.2 整流器的参数整定 | 第45-46页 |
| 4.2 逆变器的拓扑结构及参数整定 | 第46-50页 |
| 4.2.1 逆变器的拓扑结构 | 第46-49页 |
| 4.2.2 逆变器的参数整定 | 第49-50页 |
| 4.3 功率调节方式的比较与选择 | 第50-54页 |
| 4.3.1 整流器侧调功 | 第50-51页 |
| 4.3.2 逆变器侧调功 | 第51-54页 |
| 4.4 应用SiC MOSFET的高频感应加热电源实验 | 第54-56页 |
| 4.4.1 驱动脉冲实验波形 | 第54-55页 |
| 4.4.2 负载侧电压电流实验波形 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-60页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |