| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 量子信息的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 量子中继器方案简介 | 第9-10页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第10-12页 |
| 2 单光子探测技术和拉曼散射理论 | 第12-24页 |
| 2.1 光子探测器 | 第12-18页 |
| 2.1.1 外光电效应 | 第12-14页 |
| 2.1.2 内光电效应 | 第14-15页 |
| 2.1.3 硅雪崩光电二极管（Si-APD）的工作原理 | 第15-18页 |
| 2.2 时间相关单光子计数技术 | 第18-21页 |
| 2.3 受激拉曼散射理论 | 第21-23页 |
| 2.4 小结 | 第23-24页 |
| 3 单光子探测系统的性质及实验研究 | 第24-36页 |
| 3.1 单光子探测器的特性参数 | 第24-26页 |
| 3.1.1 单光子探测器输出特性研究 | 第24-25页 |
| 3.1.2 单光子探测系统主要参数 | 第25-26页 |
| 3.2 使用脉冲激光器探究单光子探测系统性质 | 第26-29页 |
| 3.3 雪崩光电二极管的雪崩发光串扰研究 | 第29-33页 |
| 3.4 密码芯片发光光辐射分析 | 第33-34页 |
| 3.5 小结 | 第34-36页 |
| 4 基于拉曼散射的实验系统设计研究 | 第36-48页 |
| 4.1 光学实验的基本器件 | 第36-44页 |
| 4.1.1 半导体激光器 | 第36-37页 |
| 4.1.2 激光偏振器件及偏振光路设计 | 第37-39页 |
| 4.1.3 法布里-波罗（Fabry-Perot）干涉仪 | 第39-41页 |
| 4.1.4 探测器件 | 第41-44页 |
| 4.2 Rb85介质的特性 | 第44-45页 |
| 4.3 饱和吸收光谱技术 | 第45-46页 |
| 4.4 小结 | 第46-48页 |
| 5 基于受激拉曼散射的量子信息存储研究 | 第48-54页 |
| 5.1 实验系统 | 第48-51页 |
| 5.1.1 实验样品能级选择 | 第48-49页 |
| 5.1.2 实验光路搭建与设计 | 第49-51页 |
| 5.2 实验结果 | 第51-53页 |
| 5.3 小结 | 第53-54页 |
| 总结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间科研成果 | 第61页 |