| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第15-17页 |
| 1.2 研究现状 | 第17-18页 |
| 1.2.1 硅通孔的形成 | 第17页 |
| 1.2.2 硅通孔材料 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 光波导理论基础 | 第21-47页 |
| 2.1 光波导的分类 | 第21-22页 |
| 2.2 光波导的射线光学理论 | 第22-28页 |
| 2.2.1 光波导的射线光学模型 | 第22-23页 |
| 2.2.2 介质界面处的光学基本定律 | 第23-25页 |
| 2.2.3 平面光波导的导模 | 第25-28页 |
| 2.3 光波导的电磁理论 | 第28-35页 |
| 2.3.1 电磁场的基本方程 | 第28-31页 |
| 2.3.2 平面光波导的模式 | 第31-34页 |
| 2.3.3 平面光波导的导模 | 第34-35页 |
| 2.4 圆形介质光波导的模式特性 | 第35-47页 |
| 2.4.1 光纤的射线光学理论 | 第36-37页 |
| 2.4.2 光纤的电磁场理论 | 第37-41页 |
| 2.4.3 光纤中存在的模式 | 第41-42页 |
| 2.4.4 模式的截止条件 | 第42-44页 |
| 2.4.5 单模光纤的特性 | 第44-47页 |
| 第三章 半导体激光器和光硅通孔间耦合特性的数值计算 | 第47-67页 |
| 3.1 半导体激光器简介 | 第47-49页 |
| 3.1.1 激光器的产生与发展 | 第47页 |
| 3.1.2 半导体激光器的进展与应用 | 第47-49页 |
| 3.2 激光器光束的模场形式及其特性 | 第49-55页 |
| 3.2.1 激光器光束的模场形式 | 第49-52页 |
| 3.2.2 高斯光束的性质 | 第52-55页 |
| 3.3 半导体激光器与光硅通孔间耦合效率的理论分析 | 第55-59页 |
| 3.3.1 激光器与光硅通孔间耦合效率的理论分析 | 第55-58页 |
| 3.3.2 端面反射与散射对耦合效率影响的理论分析 | 第58-59页 |
| 3.4 半导体激光器与光硅通孔间耦合效率的数值计算 | 第59-67页 |
| 3.4.1 激光器与光硅通孔完全对准条件下的耦合效率 | 第59-61页 |
| 3.4.2 半导体激光器与光硅通孔未对准条件下的耦合效率 | 第61-63页 |
| 3.4.3 光硅通孔参数对耦合效率的影响 | 第63-67页 |
| 第四章 半导体激光器与光硅通孔间耦合特性的仿真研究 | 第67-73页 |
| 4.1 光硅通孔的建模 | 第67-68页 |
| 4.2 半导体激光器与光硅通孔间耦合特性的仿真 | 第68-73页 |
| 4.2.1 位置偏移对耦合效率的影响 | 第69页 |
| 4.2.2 角向偏移对耦合效率的影响 | 第69-70页 |
| 4.2.3 折射率差对耦合效率的影响 | 第70-71页 |
| 4.2.4 芯层半径对耦合效率的影响 | 第71页 |
| 4.2.5 波长对耦合效率的影响 | 第71-73页 |
| 第五章 提高半导体激光器和光硅通孔间耦合效率的措施 | 第73-77页 |
| 5.1 改进激光器的性能 | 第73-75页 |
| 5.2 改进半导体激光器与光硅通孔的耦合方式 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
