| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 自旋电子学的发展 | 第10-12页 |
| 1.2 自旋轨道耦合效应 | 第12-16页 |
| 1.2.1 Dresselhaus自旋轨道耦合效应 | 第14页 |
| 1.2.2 Rashba自旋轨道耦合效应 | 第14-16页 |
| 1.3 二维材料的发展 | 第16-21页 |
| 1.3.1 二维材料的发现 | 第16-17页 |
| 1.3.2 二维过渡金属硫化物的电子结构及能带调控 | 第17-21页 |
| 1.4 研究内容及基本框架 | 第21-23页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第21页 |
| 1.4.2 基本框架 | 第21-23页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第23-33页 |
| 2.1 绝热近似与Hartree-Fock近似 | 第23-25页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第25-28页 |
| 2.3 交换关联能 | 第28-29页 |
| 2.4 Kohn-Sham方程的解析 | 第29-32页 |
| 2.5 VASP软件包及OSEP法 | 第32-33页 |
| 第三章 极性二维过渡金属硫化物中强Rashba自旋劈裂调控 | 第33-44页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 模型结构与计算细节 | 第34-35页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第35-43页 |
| 3.3.1 电子结构与轨道分析 | 第35-39页 |
| 3.3.2 单层WSeTe的应力调控 | 第39-43页 |
| 3.3.3 单层WSeTe的电场调控 | 第43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 非极性二维过渡金属硫化物中Rashba效应的电场调控 | 第44-51页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 计算方法 | 第45页 |
| 4.3 计算模型 | 第45-47页 |
| 4.4 计算结果与分析 | 第47-50页 |
| 4.4.1 单层WTe_2的电场调控 | 第47-48页 |
| 4.4.2 二维MX_2的电场调控 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 总结 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-65页 |
| 附录: 攻读硕士学位期间研究成果及奖励 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
