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多弧离子镀大颗粒的去除及脉冲偏压对膜层特性的影响研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第15-20页
    1.1 研究背景第15-16页
    1.2 多弧离子镀的基本原理与结构第16-17页
    1.3 多弧离子镀大颗粒问题研究现状第17-18页
    1.4 四面体非晶碳(ta-C)膜第18-19页
    1.5 研究思路与目的第19-20页
第二章 大颗粒的产生以及去除理论分析第20-29页
    2.1 大颗粒的产生第20页
    2.2 大颗粒的运输过程第20-21页
    2.3 大颗粒的去除理论第21-29页
        2.3.1 大颗粒发射的抑制第21-22页
        2.3.2 大颗粒运输过程中的过滤第22-25页
        2.3.3 脉冲偏压对大颗粒的抑制作用第25-29页
            2.3.3.1 脉冲偏压的溅射作用第25页
            2.3.3.2 等离子体鞘层对大颗粒的抑制第25-29页
第三章 实验设备、方法及分析测试第29-34页
    3.1 脉冲偏压磁过滤多弧离子镀设备第29-31页
    3.2 四面体非晶碳(ta-C)膜的制备第31-32页
    3.3 分析测试方法及仪器第32-34页
第四章 采用弯管磁过滤器去除大颗粒的研究第34-49页
    4.1 弯管磁过滤器结构设计的关键因素第34-37页
    4.2 弯管磁过滤器效率的提升第37-45页
        4.2.1 磁过滤器线圈电流对其效率的影响第38-39页
        4.2.2 磁过滤器机械挡板孔径对其效率的影响第39-42页
        4.2.3 磁过滤器弯管偏压对其效率的影响第42-43页
        4.2.4 磁过滤器的整体效率第43-45页
    4.3 弯管磁过滤器的大颗粒去除效果第45-47页
    4.4 本章小结第47-49页
第五章 采用脉冲偏压改善膜层综合性能研究第49-56页
    5.1 膜层制备参数设计第49页
    5.2 脉冲偏压对膜厚与硬度的影响第49-51页
    5.3 脉冲偏压对膜层大颗粒的影响第51-53页
    5.4 脉冲偏压对膜层键价结构的影响第53-55页
    5.5 本章小结第55-56页
第六章 总结与展望第56-58页
    6.1 全文总结第56-57页
    6.2 展望第57-58页
参考文献第58-62页
攻读学位期间的学术活动及成果清单第62-63页

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