| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 引言 | 第7-8页 |
| 2 文献综述 | 第8-16页 |
| 2.1 半导体光催化原理 | 第8-9页 |
| 2.2 氧化亚铜性质及晶体结构 | 第9页 |
| 2.3 Cu_2O薄膜的制备方法 | 第9-12页 |
| 2.4 Cu_2O光催化研究进展 | 第12页 |
| 2.5 Cu_2O光催化的优化改性 | 第12-14页 |
| 2.5.1 掺杂 | 第13页 |
| 2.5.2 贵金属沉积 | 第13页 |
| 2.5.3 半导体复合 | 第13-14页 |
| 2.5.4 减小颗粒尺寸 | 第14页 |
| 2.6 本文的选题思路和研究内容 | 第14-16页 |
| 3 实验部分 | 第16-23页 |
| 3.1 引言 | 第16页 |
| 3.2 实验药品及仪器 | 第16-17页 |
| 3.2.1 实验试剂和材料 | 第16页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第16-17页 |
| 3.3 双电极阳极氧化法实验设备和过程 | 第17-18页 |
| 3.3.1 双电极阳极氧化实验设备 | 第17页 |
| 3.3.2 实验过程 | 第17-18页 |
| 3.4 三电极阳极氧化法实验设备和过程 | 第18页 |
| 3.5 材料的表征 | 第18-20页 |
| 3.5.1 X射线衍射仪（XRD） | 第18-19页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第19页 |
| 3.5.3 透射电子显微镜(TEM) | 第19页 |
| 3.5.4 紫外可见漫反射光谱（UV-Vis） | 第19-20页 |
| 3.6 材料的性能测试 | 第20-23页 |
| 3.6.1 瞬态光电流响应测试（I-t） | 第20-21页 |
| 3.6.2 电容-电压测试（C-V） | 第21-22页 |
| 3.6.3 交流阻抗图谱（EIS） | 第22-23页 |
| 4 纳米Cu_2O薄膜的制备 | 第23-27页 |
| 4.1 引言 | 第23页 |
| 4.2 纳米Cu_2O薄膜的制备 | 第23页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第23-26页 |
| 4.3.1 SEM结果 | 第23-24页 |
| 4.3.2 XRD结果 | 第24页 |
| 4.3.3 退火对Cu_2O薄膜光电流密度的影响 | 第24-25页 |
| 4.3.4 退火对Cu_2O薄膜载流子浓度的影响 | 第25-26页 |
| 4.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 5 Cu_2O/WO_3复合纳米材料的制备及性能研究 | 第27-53页 |
| 5.1 引言 | 第27页 |
| 5.2 Cu_2O/WO_3复合半导体的制备 | 第27-28页 |
| 5.3 碱性溶液中结果与讨论 | 第28-40页 |
| 5.3.1 退火对薄膜表面形貌的影响 | 第28-29页 |
| 5.3.2 薄膜的EDS结果分析 | 第29页 |
| 5.3.3 退火对薄膜晶体结构的影响 | 第29-30页 |
| 5.3.4 退火对薄膜结晶度的影响 | 第30-31页 |
| 5.3.5 退火对样品光电流的影响 | 第31-32页 |
| 5.3.6 退火对样品载流子浓度的影响 | 第32-33页 |
| 5.3.7 退火对薄膜的电化学阻抗谱的影响 | 第33-34页 |
| 5.3.8 退火对薄膜禁带宽度的影响。 | 第34-35页 |
| 5.3.9 不同反应时间对纳米Cu_2O/WO_3薄膜性能的影响 | 第35-40页 |
| 5.4 酸性溶液中结果与讨论 | 第40-51页 |
| 5.4.1 EDS分析 | 第40页 |
| 5.4.2 HNO_3浓度对样品形貌的影响 | 第40-41页 |
| 5.4.3 电压对样品形貌的影响 | 第41-42页 |
| 5.4.4 反应温度对样品形貌的影响 | 第42-43页 |
| 5.4.5 反应时间对样品形貌的影响 | 第43-44页 |
| 5.4.6 退火对样品形貌的影响 | 第44页 |
| 5.4.7 退火对薄膜晶体结构的影响 | 第44-46页 |
| 5.4.8 退火对薄膜结晶度的影响 | 第46-48页 |
| 5.4.9 退火对样品光电流密度的影响 | 第48-49页 |
| 5.4.10 退火对样品载流子浓度的影响 | 第49-50页 |
| 5.4.11 退火对样品禁带宽度的影响 | 第50-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 6 结论与展望 | 第53-55页 |
| 6.1 结论 | 第53-54页 |
| 6.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |