| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-11页 |
| ·785nm高功率半导体激光器的应用 | 第6页 |
| ·半导体激光器的主要技术问题 | 第6-9页 |
| ·本文主要研究内容 | 第9-11页 |
| 第二章 785nm高功率半导体激光器的原理与特性 | 第11-17页 |
| ·半导体激光器的增益特性 | 第11页 |
| ·半导体激光器的阈值特性 | 第11-14页 |
| ·半导体激光器的热特性 | 第14-16页 |
| ·半导体激光器的可靠性分析 | 第16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第三章 785nm高功率半导体激光器结构设计与特性分析 | 第17-27页 |
| ·QW特性 | 第17-18页 |
| ·单QW超非对称波导器件特性与结构设计 | 第18-22页 |
| ·多QW超非对称波导器件特性与结构设计 | 第22-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 含非注入区结构的半导体激光器的热特性分析 | 第27-33页 |
| ·含非注入区结构的半导体激光器的结构与模型 | 第27-28页 |
| ·模拟结果与分析 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第五章 欧姆接触实验研究 | 第33-41页 |
| ·欧姆接触的测试理论 | 第33-34页 |
| ·n-GaAs欧姆接触RTLM测试具体工艺流程 | 第34-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 总结 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第45页 |