摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第1章 绪论 | 第13-31页 |
·非线性光学晶体材料的应用及意义 | 第13-16页 |
·非线性光学晶体材料应具备的性质 | 第16-18页 |
·非线性光学晶体材料的分类 | 第18-21页 |
·非线性光学晶体材料的研究进展 | 第21-27页 |
·本论文的写作背景 | 第27-30页 |
·本论文的主要内容及意义 | 第30-31页 |
第2章 GaSe晶体的基本性质 | 第31-53页 |
·GaSe晶体的参数 | 第31-40页 |
·基本参数 | 第31-32页 |
·热学参数 | 第32-35页 |
·光学参数 | 第35-40页 |
·GaSe晶体的结构 | 第40-42页 |
·GaSe晶体的生长 | 第42-48页 |
·Bridgman法晶体生长技术简介 | 第42-45页 |
·本论文中晶体的生长过程 | 第45-48页 |
·掺杂晶体杂质含量的表示方法 | 第48-49页 |
·掺杂晶体的研究现状 | 第49-51页 |
·小结 | 第51-53页 |
第3章 GaSe:Er晶体的光学及倍频特性 | 第53-77页 |
·GaSe:Er晶体成分分析 | 第53-57页 |
·GaSe:Er晶体的光谱特性 | 第57-63页 |
·紫外-可见光波段 | 第58-59页 |
·红外波段 | 第59-61页 |
·喇曼光谱 | 第61-63页 |
·倍频特性 | 第63-75页 |
·GaSe晶体的倍频相位匹配 | 第64-67页 |
·飞秒Ti:Sapphire激光倍频实验 | 第67-70页 |
·CO_2激光倍频实验 | 第70-74页 |
·二阶有效非线性系数 | 第74-75页 |
·小结 | 第75-77页 |
第4章 GaSe:Te和GaSe:InS晶体的光学及倍频特性 | 第77-89页 |
·GaSe:Te晶体的光学和倍频特性 | 第77-83页 |
·GaSe:Te晶体的光学透过特性 | 第78-79页 |
·GaSe:Te晶体的倍频特性 | 第79-83页 |
·GaSe:InS晶体的光学特性 | 第83-86页 |
·不同掺杂晶体比较 | 第86-89页 |
第5章 GaSe:X (X=S, In)晶体的飞秒激光损伤特性 | 第89-105页 |
·必要性 | 第89-90页 |
·实验装置及方法 | 第90-92页 |
·实验结果及讨论 | 第92-103页 |
·S掺杂晶体 | 第92-101页 |
·In掺杂晶体 | 第101-103页 |
·小结 | 第103-105页 |
论文总结 | 第105-109页 |
参考文献 | 第109-124页 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第124-126页 |
致谢 | 第126页 |