| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| ·闪存和几种新型不挥发存储器的性能比较 | 第11-13页 |
| ·相变存储器的存储原理 | 第13-15页 |
| ·相变存储器的存储介质 | 第15-20页 |
| ·相变存储器对存储介质的性能要求 | 第15-16页 |
| ·相变存储材料 | 第16-20页 |
| ·相变存储器的研究进展 | 第20-22页 |
| ·相变存储器目前所面临的主要问题及解决方法 | 第22-26页 |
| ·降低RESET 电流 | 第22-25页 |
| ·提高高温下的数据保存寿命 | 第25-26页 |
| ·本文的研究意义及研究内容 | 第26-28页 |
| ·研究意义 | 第26-27页 |
| ·研究内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 实验条件和分析测试方法 | 第34-46页 |
| ·薄膜样品的制备和分析 | 第34-38页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第34-36页 |
| ·薄膜性能分析手段 | 第36-38页 |
| ·器件原型的制备和测试 | 第38-44页 |
| ·制备工艺流程 | 第38-42页 |
| ·器件电学特性测试 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 Si-Sb-Te 相变薄膜 | 第46-86页 |
| ·薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·Si 浓度对薄膜性能的影响 | 第47-58页 |
| ·非晶态和晶态的电学性能 | 第47-49页 |
| ·结构分析 | 第49-53页 |
| ·晶化温度和熔点 | 第53-54页 |
| ·非晶态热稳定性 | 第54-57页 |
| ·结晶对薄膜厚度的影响 | 第57-58页 |
| ·Sb/Te 组分对薄膜性能的影响 | 第58-61页 |
| ·非晶态和晶态的电学性能 | 第58-59页 |
| ·结构分析 | 第59页 |
| ·非晶态热稳定性 | 第59-61页 |
| ·结晶对薄膜厚度的影响 | 第61页 |
| ·器件的电学特性测试 | 第61-74页 |
| ·I-V 特性 | 第62-65页 |
| ·SET 转变特性 | 第65-68页 |
| ·RESET 转变特性 | 第68-71页 |
| ·器件的开/关比 | 第71-72页 |
| ·转变机制分析 | 第72-74页 |
| ·小尺寸结构器件的热学模拟分析 | 第74-82页 |
| ·模型建立 | 第74-77页 |
| ·器件的RESET 电流模拟 | 第77-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 N 掺杂 Ge_(15)Sb_(85)相变薄膜 | 第86-105页 |
| ·薄膜的制备 | 第86-87页 |
| ·薄膜的性能分析 | 第87-97页 |
| ·N 掺杂对Ge_(15)Sb_(85) 中元素的化学键态的影响 | 第87-90页 |
| ·N 掺杂对Ge_(15)Sb_(85) 晶体结构和晶粒大小的影响 | 第90-92页 |
| ·N 掺杂对Ge_(15)Sb_(85) 能带的影响 | 第92-94页 |
| ·N 掺杂对Ge_(15)Sb_(85) 电阻率的影响 | 第94-95页 |
| ·N 掺杂对Ge_(15)Sb_(85) 非晶态热稳定性的影响 | 第95-96页 |
| ·结晶对薄膜厚度的影响 | 第96-97页 |
| ·器件的电学特性测试 | 第97-100页 |
| ·I-V 特性 | 第97-98页 |
| ·SET 和RESET 转变特性 | 第98-100页 |
| ·分析与讨论 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第五章 Si-Sb 相变薄膜及其掺杂改性 | 第105-128页 |
| ·薄膜的制备 | 第105-106页 |
| ·Si-Sb 薄膜的性能分析 | 第106-110页 |
| ·结构分析 | 第106-108页 |
| ·薄膜的光学带隙 | 第108-109页 |
| ·薄膜的电阻率 | 第109-110页 |
| ·N 或O 掺杂Si_(15)Sb_(85) 薄膜的性能分析 | 第110-121页 |
| ·掺杂对Si_(15)Sb_(85) 电阻率的影响 | 第110-112页 |
| ·掺杂对Si_(15)Sb_(85) 中元素的化学键态的影响 | 第112-114页 |
| ·掺杂对Si_(15)Sb_(85) 晶体结构和晶粒大小的影响 | 第114-115页 |
| ·掺杂对Si_(15)Sb_(85) 能带的影响 | 第115-117页 |
| ·掺杂对Si_(15)Sb_(85) 非晶态热稳定性的影响 | 第117-119页 |
| ·结晶对薄膜厚度的影响 | 第119-120页 |
| ·分析与讨论 | 第120-121页 |
| ·器件的电学特性测试 | 第121-125页 |
| ·N 掺杂Si_(15)Sb_(85) 器件 | 第122-123页 |
| ·O 掺杂Si_(15)Sb_(85) 器件 | 第123-125页 |
| ·本章小结 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-128页 |
| 第六章 总结与展望 | 第128-132页 |
| 致谢 | 第132-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和专利 | 第133-136页 |
