| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-43页 |
| ·课题研究背景 | 第8-9页 |
| ·BaTi0_3 的晶体结构 | 第9-11页 |
| ·BaTi0_3 基电子陶瓷的铁电性研究 | 第11-13页 |
| ·BaTi0_3 基电子陶瓷的介电性研究 | 第13-16页 |
| ·BaTi0_3基陶瓷介电性能理论模型 | 第13-14页 |
| ·BaTi0_3晶体的介电特性 | 第14-15页 |
| ·介电性能表征相关参数 | 第15-16页 |
| ·BaTi0_3 基电子陶瓷 PTC 特性研究进展 | 第16-32页 |
| ·BaTi0_3陶瓷半导化机理 | 第16-17页 |
| ·PTCR 材料的基本特性 | 第17-22页 |
| ·BaTi0_3基陶瓷PTC 性能理论模型 | 第22-32页 |
| ·铅基氧化物提高BaTi0_3 基电子陶瓷居里点的机理 | 第32-33页 |
| ·高居里温度BaTi0_3 基电子陶瓷制备方法研究 | 第33-41页 |
| ·不同制备工艺对居里温度的影响 | 第34-37页 |
| ·离子掺杂的影响 | 第37-41页 |
| ·选题的目的与意义 | 第41-43页 |
| 第二章 实验设计与研究方法 | 第43-51页 |
| ·实验原料与主要仪器 | 第43-44页 |
| ·实验设计与方案 | 第44-45页 |
| ·实验工艺流程 | 第45-48页 |
| ·性能表征及测试 | 第48-51页 |
| 第三章 Bi_20_3引入方式及合成BNT 工艺研究 | 第51-82页 |
| ·课题研究方法 | 第51-53页 |
| ·Bi_20_3 不同引入方式对材料性能的影响 | 第53-66页 |
| ·BaTi0_3基本配方研究 | 第53页 |
| ·850℃预合成后引入对材料性能的影响 | 第53-57页 |
| ·氧化物形式直接引入对材料性能的影响 | 第57-59页 |
| ·不同温度预合成BNT 后引入对材料性能的影响 | 第59-61页 |
| ·氧化物形式直接引入时合成过程保温对材料性能的影响 | 第61-63页 |
| ·烧结后热处理对材料性能的影响 | 第63-65页 |
| ·780℃预合成施主掺杂BNT 对材料性能的影响 | 第65-66页 |
| ·Bi_20_3 不同引入量及引入方式对试样性能的影响及机理研究 | 第66-80页 |
| ·Bi_20_3 不同引入量及引入方式对试样性能的影响 | 第66-72页 |
| ·BNT 引入对材料各性能的影响机理研究 | 第72-80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 第四章 高居里温度PTCR 陶瓷材料制备工艺与性能研究 | 第82-104页 |
| ·课题研究方法 | 第82-83页 |
| ·烧结工艺对材料PTC 性能的影响及机理研究 | 第83-88页 |
| ·BNT 预合成新方法对材料PTC 性能的影响 | 第88-95页 |
| ·BNT 引入量对材料PTC 性能的影响 | 第88-91页 |
| ·850℃/2h 热处理对材料PTC 性能的影响 | 第91-95页 |
| ·增加受主对材料PTC 性能的影响 | 第95-102页 |
| ·不同受主加入量对材料PTC 性能的影响 | 第96-98页 |
| ·不同烧结温度对材料PTC 性能的影响 | 第98-99页 |
| ·加入不同量石墨烧结对材料PTC 性能的影响 | 第99-101页 |
| ·不同热处理温度对材料PTC 性能的影响 | 第101-102页 |
| ·本章小节 | 第102-104页 |
| 第五章 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-113页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
