| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第2章 实验方法 | 第13-19页 |
| ·薄膜制备 | 第13-14页 |
| ·实验设备 | 第13-14页 |
| ·基片清洗 | 第14页 |
| ·测试方法 | 第14-19页 |
| ·膜厚测量 | 第14-15页 |
| ·多层薄膜剖面微结构 | 第15页 |
| ·键合特征 | 第15-16页 |
| ·元素成分 | 第16页 |
| ·晶向结构 | 第16页 |
| ·晶化率及晶粒尺寸 | 第16-17页 |
| ·光学特性测试 | 第17-18页 |
| ·电导率测试 | 第18-19页 |
| 第3章 a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜的制备与结构表征 | 第19-35页 |
| ·a-Si:H 与 a-SiC:H 单层薄膜的制备 | 第19-20页 |
| ·a-Si:H 与 a-SiC:H 单层薄膜的结构表征 | 第20-25页 |
| ·晶向及晶粒尺寸 | 第20-21页 |
| ·晶化率 | 第21-22页 |
| ·a-SiC:H 薄膜元素成分 | 第22-23页 |
| ·键合特征 | 第23-25页 |
| ·a-Si:H 与 a-SiC:H 单层薄膜的光学带隙 | 第25-26页 |
| ·a-Si:H 与 a-SiC:H 单层薄膜的电导率 | 第26-27页 |
| ·a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜制备与退火工艺 | 第27-28页 |
| ·a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜制备 | 第27页 |
| ·退火工艺 | 第27-28页 |
| ·a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜的结构表征 | 第28-35页 |
| ·TEM 测试 | 第28-30页 |
| ·Raman 分析 | 第30-32页 |
| ·XRD 分析 | 第32页 |
| ·FT-IR 分析 | 第32-35页 |
| 第4章 a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜的电子输运特性 | 第35-40页 |
| ·a-Si:H/a-SiC:H 多层薄膜的共振隧穿特性 | 第36-38页 |
| ·nc-Si:H/a-SiC:H 多层薄膜的电子输运特性 | 第38-40页 |
| 第5章 a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H 多层薄膜的光吸收特性 | 第40-49页 |
| ·势阱层 a-Si:H(nc-Si:H)厚度对多层薄膜光吸收特性的影响 | 第40-45页 |
| ·a-Si:H 势阱层厚度 | 第40-42页 |
| ·nc-Si:H 势阱层厚度 | 第42-45页 |
| ·势垒层 a-SiC:H 厚度对 nc-Si:H/a-SiC:H 光吸收特性的影响 | 第45-46页 |
| ·退火温度对多层薄膜光吸收特性的影响 | 第46-49页 |
| 第6章 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第56页 |
