| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·nc-Si:H 薄膜太阳电池的研究现状 | 第9-12页 |
| ·本课题的研究意义与技术路线 | 第12-14页 |
| ·课题研究意义 | 第12页 |
| ·实验技术路线 | 第12-14页 |
| 第二章 实验方法 | 第14-20页 |
| ·样品制备 | 第14-15页 |
| ·衬底清洗 | 第14页 |
| ·PECVD 系统 | 第14-15页 |
| ·样品制备 | 第15页 |
| ·分析与测试方法 | 第15-20页 |
| ·厚度测量 | 第15页 |
| ·FTIR 测试 | 第15-16页 |
| ·晶化率计算 | 第16-17页 |
| ·光吸收分析 | 第17页 |
| ·电导率计算 | 第17-18页 |
| ·XRD 分析 | 第18-20页 |
| 第三章 p-i-n 结构太阳电池 p 型窗口层的制备与光电性质 | 第20-26页 |
| ·p-i-n 结构太阳电池的结构 | 第20页 |
| ·p 型窗口层的光学特性 | 第20-23页 |
| ·B_2H_6浓度对 nc-Si(B):H 薄膜光吸收系数和光学带隙的影响 | 第20-22页 |
| ·衬底温度对 nc-Si(B):H 光学带隙的影响 | 第22-23页 |
| ·p 型窗口层的电学特性 | 第23-26页 |
| ·B_2H_6浓度对 nc-Si(B):H 薄膜电导率的影响 | 第23-24页 |
| ·衬底温度对 nc-Si(B):H 薄膜电导率的影响 | 第24-26页 |
| 第四章 p-i-n 结构太阳电池 i 型本征层的研究 | 第26-40页 |
| ·衬底温度对太阳电池本征层特性的影响 | 第26-37页 |
| ·薄膜的沉积速率 | 第26-27页 |
| ·薄膜的结构特征 | 第27-34页 |
| ·薄膜的光学特性 | 第34-35页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第35-37页 |
| ·沉积厚度对太阳电池本征层特性的影响 | 第37-40页 |
| ·不同厚度本征层的光学特性 | 第37-38页 |
| ·不同本征层厚度的电学特性 | 第38-40页 |
| 第五章 p-i-n 结构 nc-Si:H 薄膜太阳电池试制与光伏性质 | 第40-46页 |
| ·p-i-n 结构太阳电池的原理 | 第40-41页 |
| ·p-i-n 结构太阳电池设计与制备 | 第41-43页 |
| ·本征层厚度对太阳电池参数的影响 | 第43-46页 |
| 第六章 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 硕士研究生在读期间发表的论文 | 第51页 |
