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半导体激光器真空解理钝化工艺研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-7页
第一章 绪论第7-14页
   ·半导体激光器的发展历史及主要应用第7-11页
   ·半导体激光器国内外发展现状第11-12页
   ·论文研究的目的及内容第12-14页
第二章 半导体激光器基础原理与技术第14-21页
   ·半导体内量子跃迁的过程第14-17页
   ·半导体激光器的基本工作原理第17-19页
   ·半导体激光器的基本结构第19-20页
   ·材料检测与表征方法第20-21页
第三章 半导体激光器钝化工艺分析研究第21-30页
   ·表面态的定义第21-22页
   ·半导体激光器COD的产生和提高方法第22-24页
   ·半导体激光器钝化概念的提出和定义第24页
   ·半导体激光器钝化工艺研究进展第24-27页
   ·各种钝化工艺方法比较第27-30页
第四章 半导体激光器真空解理钝化工艺分析与研究第30-44页
   ·真空解理钝化方法的提出第30页
   ·钝化膜材料的选取第30-31页
   ·实验设计第31-34页
   ·真空解理钝化结果第34-38页
   ·半导体激光器外延结构第38页
   ·半导体激光器钝化后腔面镀膜第38-41页
   ·真空解理钝化对半导体激光器COD的影响第41-42页
   ·本章小结第42-44页
结论第44-45页
致谢第45-46页
参考文献第46-48页
发表论文第48页

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