半导体激光器真空解理钝化工艺研究

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-7页
第一章 绪论	第7-14页
·半导体激光器的发展历史及主要应用	第7-11页
·半导体激光器国内外发展现状	第11-12页
·论文研究的目的及内容	第12-14页
第二章 半导体激光器基础原理与技术	第14-21页
·半导体内量子跃迁的过程	第14-17页
·半导体激光器的基本工作原理	第17-19页
·半导体激光器的基本结构	第19-20页
·材料检测与表征方法	第20-21页
第三章 半导体激光器钝化工艺分析研究	第21-30页
·表面态的定义	第21-22页
·半导体激光器COD的产生和提高方法	第22-24页
·半导体激光器钝化概念的提出和定义	第24页
·半导体激光器钝化工艺研究进展	第24-27页
·各种钝化工艺方法比较	第27-30页
第四章 半导体激光器真空解理钝化工艺分析与研究	第30-44页
·真空解理钝化方法的提出	第30页
·钝化膜材料的选取	第30-31页
·实验设计	第31-34页
·真空解理钝化结果	第34-38页
·半导体激光器外延结构	第38页
·半导体激光器钝化后腔面镀膜	第38-41页
·真空解理钝化对半导体激光器COD的影响	第41-42页
·本章小结	第42-44页
结论	第44-45页
致谢	第45-46页
参考文献	第46-48页
发表论文	第48页