| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·纳米材料概述 | 第8-18页 |
| ·纳米材料的分类 | 第8-10页 |
| ·纳米材料的特性 | 第10-13页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第13-15页 |
| ·纳米材料的生长机理 | 第15-18页 |
| ·纳米材料的电子显微学研究 | 第18-19页 |
| ·电子显微学的发展 | 第18页 |
| ·纳米材料的电子显微学研究 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究意义与内容 | 第19-20页 |
| 第二章 基本理论及研究方法 | 第20-36页 |
| ·高分辨电子显微学 | 第20-22页 |
| ·球差校正的高分辨透射电子显微学 | 第22-24页 |
| ·电子能量损失谱 | 第24-36页 |
| ·电子能量损失谱分析 | 第26-29页 |
| ·能量过滤电子显微术 | 第29-31页 |
| ·能量单色器 | 第31-36页 |
| 第三章 高分子聚合物纳米材料的电子显微学研究 | 第36-49页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-40页 |
| ·原材料 | 第37-38页 |
| ·仪器 | 第38页 |
| ·聚合物纳米管的制备 | 第38-39页 |
| ·样品的制备与表征 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-47页 |
| ·聚酰胺6纳米管的制备与表征 | 第40-43页 |
| ·聚酰胺66纳米管的制备与表征 | 第43-44页 |
| ·聚苯乙烯的制备与表征 | 第44-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第四章 氧化镓纳米结构的电子显微学研究 | 第49-64页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米材料的制备 | 第50-51页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·实验产物及表征方法 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-62页 |
| ·β-Ga_20_3纳米线的微观形貌 | 第51-52页 |
| ·不同形貌β-Ga_20_3纳米线的透射电镜表征 | 第52-59页 |
| ·核-壳结构的β-Ga_20_3纳米线的透射电子显微学研究 | 第59-61页 |
| ·生长机理 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第五章 InGaAs纳米线的电子显微学研究 | 第64-75页 |
| ·引言 | 第64-66页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-73页 |
| ·InGaAs纳米线的形貌 | 第67-68页 |
| ·不同形貌InGaAs纳米线的透射电镜表征 | 第68-70页 |
| ·催化剂颗粒与纳米线的取向关系 | 第70-72页 |
| ·InGaAs纳米线的生长机理 | 第72-73页 |
| ·小结 | 第73-75页 |
| 总结与展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |