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电子储存环中残余气体散射的相关研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-31页
   ·同步辐射光源第11-14页
   ·合肥同步辐射光源第14-16页
     ·第一代合肥光源(HLS)第14-15页
     ·合肥光源重大维修改造工程(HLSII)第15-16页
   ·第四代光源——相干光源第16-20页
   ·合肥先进光源(HALS)第20-24页
   ·课题研究意义与现状第24-26页
     ·研究意义第24-25页
     ·研究现状第25-26页
   ·论文的主要内容及创新点第26-28页
     ·论文的组织结构第26页
     ·创新点介绍第26-28页
 参考文献第28-31页
第二章 储存环中带电粒子的运动第31-59页
   ·生成函数(Generation Function)介绍第31-32页
   ·储存环中的哈密顿量(Hamilton)第32-38页
   ·由哈密顿量(Hamilton)给出储存环的传输映射第38-45页
   ·线性传输矩阵第45-49页
   ·电子的横向运动方程第49-52页
   ·相空间椭圆第52页
   ·束流发射度第52-56页
     ·束流发射度的定义第53-54页
     ·统计类高斯分布束团的尺寸第54-56页
 参考文献第56-59页
第三章 残余气体散射的理论研究第59-73页
   ·真空的基本概念第59-61页
     ·真空的基本概念第59-60页
     ·残余气体密度的计算第60-61页
   ·残余气体散射理论基础第61-63页
   ·储存环中与气体散射相关的参数第63-66页
     ·有效氮气压第64页
     ·储存环的限制条件第64-66页
   ·与残余气体有关的束流寿命第66-71页
     ·束流寿命第66-67页
     ·与残余气体散射有关的束流寿命第67-71页
 参考文献第71-73页
第四章 PIC-MCC方法模拟气体散射效应第73-111页
   ·模拟的理论基础(PIC-MCC)第73-80页
     ·PIC方法第73-74页
     ·MCC方法第74-79页
     ·PIC-MCC方法第79-80页
   ·电子与气体分子之间的碰撞第80-106页
     ·弹性碰撞第80-101页
     ·轫致辐射第101-106页
   ·模拟方法的描述第106-107页
     ·宏粒子模型简介第106页
     ·气体散射模拟方法第106-107页
   ·本章小结第107-108页
 参考文献第108-111页
第五章 模拟结果分析第111-129页
   ·模拟参数的选择第111-112页
     ·初始宏粒子数的选择第111页
     ·损失能量最小值的选择第111-112页
   ·模拟流程第112-114页
   ·类高斯分布束团尺寸的验证第114-117页
     ·标准的高斯分布验证第114-115页
     ·验证不加入气体散射时跟踪n个粒子的x方向尺寸第115页
     ·适合加入气体散射后的统计方法第115-117页
   ·主要数据结果分析第117-127页
     ·束流寿命的模拟第117-119页
     ·对束团分布的影响第119-124页
     ·对发射度的影响第124-127页
   ·本章小结第127-129页
第六章 总结与展望第129-131页
   ·总结第129页
   ·展望第129-131页
致谢第131-133页
在攻读博士学位期间发表的论文第133页

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