抗工艺变化的SRAM时序控制电路技术

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第1章 绪论	第8-16页
·研究背景及意义	第8-11页
·SRAM时序控制电路受工艺变化的影响	第11-13页
·研究现状	第13-15页
·本论文主要工作	第15页
·本论文整体架构	第15-16页
第2章 SRAM时序控制电路	第16-22页
·SRAM电路关键路径分析	第16-18页
·传统的复制位线延时技术(Conv)	第18-19页
·传统复制位线延时技术存在的问题	第19-21页
·本章小结	第21-22页
第3章 改进的SRAM时序控制电路技术	第22-33页
·多级复制位线技术(MRB)	第22-26页
·MRB技术原理分析	第22-24页
·电路实现及工作原理	第24-26页
·数字复制位线延时技术(DRBD)	第26-30页
·DRBD技术原理分析	第26-28页
·电路实现及工作原理	第28-30页
·仿真结果对比分析	第30-32页
·本章小结	第32-33页
第4章 多级并行复制位线延时累加技术	第33-49页
·MPRDA技术原理分析	第33-36页
·MPRDA技术电路实现	第36-38页
·MPRDA技术工作原理	第38-39页
·复制位线分级和复制单元个数确定	第39-43页
·仿真结果分析	第43-47页
·本章小结	第47-49页
第5章 总结与展望	第49-50页
·设计总结	第49页
·工作展望	第49-50页
参考文献	第50-55页
图表目录	第55-57页
致谢	第57-58页
硕士阶段获得的研究成果	第58页