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拓扑绝缘体纳米结构的可控生长与表面性能

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-27页
   ·引言第10-11页
   ·低维纳米材料第11-14页
     ·低维纳米材料的制备第11-13页
     ·低维纳米材料的性质第13-14页
   ·拓扑绝缘体第14-25页
     ·拓扑绝缘体简介第14-17页
     ·二维拓扑绝缘体第17-19页
     ·三维拓扑绝缘体第19-22页
     ·三维拓扑绝缘体的制备第22-24页
     ·三维拓扑绝缘体的奇特性质及其应用前景第24-25页
   ·本文的研究目的和研究内容第25-27页
第2章 实验仪器及原理第27-40页
   ·引言第27页
   ·化学气相沉积系统简介第27-29页
     ·气相沉积技术的基本原理第27-28页
     ·气相沉积技术在材料制备中的应用第28-29页
     ·气相沉积技术的特点第29页
   ·扫描探针显微镜系统简介第29-32页
     ·原子力显微镜的工作原理第29-30页
     ·原子力显微镜的工作模式第30-31页
     ·各种扫描探针显微镜第31-32页
   ·开尔文力显微镜第32-39页
     ·开尔文力显微镜的基本原理第32-34页
     ·开尔文力显微镜工作调节参数第34-35页
     ·开尔文力显微镜工作模式第35-36页
     ·开尔文力显微镜的应用第36-38页
     ·开尔文力显微镜的特点第38-39页
   ·本章小结第39-40页
第3章 碲化铋、硒化铋纳米片的可控生长及其表面性能第40-60页
   ·引言第40-41页
   ·碲化铋纳米片、碲纳米结构的可控生长及其表面性能第41-55页
     ·碲化铋纳米片、碲纳米结构的可控生长及其结构表征第41-48页
     ·碲化铋纳米片的表面电势研究第48-53页
     ·碲化铋纳米片的电荷注入研究第53-55页
   ·硒化铋纳米片的可控生长及其表面电势研究第55-59页
     ·硒化铋纳米片的可控生长及其结构表征第55-57页
     ·硒化铋纳米片的表面电势及其电荷注入研究第57-59页
   ·本章小结第59-60页
第4章 碲化锑纳米片的可控生长及其表面性能第60-73页
   ·引言第60页
   ·碲化锑纳米片的可控生长及其表面性能第60-67页
     ·碲化锑纳米片的可控生长及其结构表征第60-65页
     ·碲化锑纳米片的表面电势研究第65-67页
     ·碲化锑纳米片的电荷注入研究第67页
   ·碲化锑纳米片的表面螺旋结构研究第67-71页
   ·碲化锑纳米片表面螺旋结构的表面电势研究第71-72页
   ·本章小结第72-73页
第5章 三元拓扑绝缘体纳米片的可控生长及其表面电势研究第73-79页
   ·引言第73-74页
   ·Bi2(SexTe1-x)3纳米片的可控生长及其表面电势研究第74-77页
     ·Bi2(SexTe1-x)3拓扑绝缘体纳米片的可控生长及其结构表征第74-75页
     ·Bi2(SexTe1-x)3纳米片的表面电势研究第75-77页
   ·本章小结第77-79页
第6章 拓扑绝缘体异质结的可控生长及其表面电势研究第79-97页
   ·引言第79-80页
   ·石墨烯的制备及其表面电势研究第80-85页
     ·石墨烯的制备及其表征第80-82页
     ·石墨烯的表面电势研究第82-85页
   ·碲化铋/石墨烯异质结的可控生长及其表征第85-87页
   ·二硫化钼纳米片的制备及其表面电势研究第87-92页
     ·二硫化钼纳米片的制备及其结构表征第87-90页
     ·二硫化钼纳米纳米片的表面电势研究第90-92页
   ·碲化铋/二硫化钼异质结的可控生长及其表面电势研究第92-96页
     ·碲化铋/二硫化钼异质结的生长及其表征第92-94页
     ·碲化铋/二硫化钼异质结的表面电势研究第94-96页
   ·本章小结第96-97页
第7章 总结与展望第97-100页
   ·总结第97-98页
   ·展望第98-100页
参考文献第100-110页
致谢第110-111页
个人简历、攻读博士学位期间完成的主要工作第111-113页

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