摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-27页 |
·引言 | 第10-11页 |
·低维纳米材料 | 第11-14页 |
·低维纳米材料的制备 | 第11-13页 |
·低维纳米材料的性质 | 第13-14页 |
·拓扑绝缘体 | 第14-25页 |
·拓扑绝缘体简介 | 第14-17页 |
·二维拓扑绝缘体 | 第17-19页 |
·三维拓扑绝缘体 | 第19-22页 |
·三维拓扑绝缘体的制备 | 第22-24页 |
·三维拓扑绝缘体的奇特性质及其应用前景 | 第24-25页 |
·本文的研究目的和研究内容 | 第25-27页 |
第2章 实验仪器及原理 | 第27-40页 |
·引言 | 第27页 |
·化学气相沉积系统简介 | 第27-29页 |
·气相沉积技术的基本原理 | 第27-28页 |
·气相沉积技术在材料制备中的应用 | 第28-29页 |
·气相沉积技术的特点 | 第29页 |
·扫描探针显微镜系统简介 | 第29-32页 |
·原子力显微镜的工作原理 | 第29-30页 |
·原子力显微镜的工作模式 | 第30-31页 |
·各种扫描探针显微镜 | 第31-32页 |
·开尔文力显微镜 | 第32-39页 |
·开尔文力显微镜的基本原理 | 第32-34页 |
·开尔文力显微镜工作调节参数 | 第34-35页 |
·开尔文力显微镜工作模式 | 第35-36页 |
·开尔文力显微镜的应用 | 第36-38页 |
·开尔文力显微镜的特点 | 第38-39页 |
·本章小结 | 第39-40页 |
第3章 碲化铋、硒化铋纳米片的可控生长及其表面性能 | 第40-60页 |
·引言 | 第40-41页 |
·碲化铋纳米片、碲纳米结构的可控生长及其表面性能 | 第41-55页 |
·碲化铋纳米片、碲纳米结构的可控生长及其结构表征 | 第41-48页 |
·碲化铋纳米片的表面电势研究 | 第48-53页 |
·碲化铋纳米片的电荷注入研究 | 第53-55页 |
·硒化铋纳米片的可控生长及其表面电势研究 | 第55-59页 |
·硒化铋纳米片的可控生长及其结构表征 | 第55-57页 |
·硒化铋纳米片的表面电势及其电荷注入研究 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
第4章 碲化锑纳米片的可控生长及其表面性能 | 第60-73页 |
·引言 | 第60页 |
·碲化锑纳米片的可控生长及其表面性能 | 第60-67页 |
·碲化锑纳米片的可控生长及其结构表征 | 第60-65页 |
·碲化锑纳米片的表面电势研究 | 第65-67页 |
·碲化锑纳米片的电荷注入研究 | 第67页 |
·碲化锑纳米片的表面螺旋结构研究 | 第67-71页 |
·碲化锑纳米片表面螺旋结构的表面电势研究 | 第71-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
第5章 三元拓扑绝缘体纳米片的可控生长及其表面电势研究 | 第73-79页 |
·引言 | 第73-74页 |
·Bi2(SexTe1-x)3纳米片的可控生长及其表面电势研究 | 第74-77页 |
·Bi2(SexTe1-x)3拓扑绝缘体纳米片的可控生长及其结构表征 | 第74-75页 |
·Bi2(SexTe1-x)3纳米片的表面电势研究 | 第75-77页 |
·本章小结 | 第77-79页 |
第6章 拓扑绝缘体异质结的可控生长及其表面电势研究 | 第79-97页 |
·引言 | 第79-80页 |
·石墨烯的制备及其表面电势研究 | 第80-85页 |
·石墨烯的制备及其表征 | 第80-82页 |
·石墨烯的表面电势研究 | 第82-85页 |
·碲化铋/石墨烯异质结的可控生长及其表征 | 第85-87页 |
·二硫化钼纳米片的制备及其表面电势研究 | 第87-92页 |
·二硫化钼纳米片的制备及其结构表征 | 第87-90页 |
·二硫化钼纳米纳米片的表面电势研究 | 第90-92页 |
·碲化铋/二硫化钼异质结的可控生长及其表面电势研究 | 第92-96页 |
·碲化铋/二硫化钼异质结的生长及其表征 | 第92-94页 |
·碲化铋/二硫化钼异质结的表面电势研究 | 第94-96页 |
·本章小结 | 第96-97页 |
第7章 总结与展望 | 第97-100页 |
·总结 | 第97-98页 |
·展望 | 第98-100页 |
参考文献 | 第100-110页 |
致谢 | 第110-111页 |
个人简历、攻读博士学位期间完成的主要工作 | 第111-113页 |