| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·场发射研究的背景与广泛应用 | 第10-11页 |
| ·碳纳米管的结构及其在场发射中的应用 | 第11-13页 |
| ·本文主要研究工作 | 第13-15页 |
| 第二章 碳纳米管发射特性及金属-半导体接触 | 第15-23页 |
| ·碳纳米管的场发射特性及 F-N 原理 | 第15-18页 |
| ·金属-半导体接触原理 | 第18-21页 |
| ·场发射器件接触电阻建模思路 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 金属型碳纳米管与半导体衬底间接触电阻建模及模型验证 | 第23-37页 |
| ·接触电阻的建模与仿真 | 第23-29页 |
| ·不考虑温度变化时的接触电阻 | 第24-26页 |
| ·考虑外加高温以及场发射自热效应时的接触电阻 | 第26-29页 |
| ·原始发射电流方程的修正 | 第29-32页 |
| ·接触电阻模型的验证 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 碳纳米管发射器件的优化设计 | 第37-48页 |
| ·衬底掺杂浓度和势垒高度对发射电流的影响 | 第37-41页 |
| ·衬底掺杂浓度对发射电流的影响 | 第37-39页 |
| ·接触势垒高度对发射电流的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底掺杂浓度和接触势垒高度的共同影响 | 第40-41页 |
| ·碳纳米管半径对发射电流的影响 | 第41-43页 |
| ·温度对发射电流的影响 | 第43-46页 |
| ·温度的单独影响 | 第43-45页 |
| ·温度和衬底掺杂浓度的共同影响 | 第45-46页 |
| ·碳纳米管场发射器件优化建议 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论与展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附件 | 第56页 |